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    EN29LV800B 参数 Datasheet PDF下载

    EN29LV800B图片预览
    型号： EN29LV800B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8兆位（ 1024K ×8位/ 512K ×16位）闪存引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只 [8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 41 页 / 346 K
    品牌： EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
     浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号EN29LV800B的Datasheet PDF文件第10页  
    EN29LV800B
    产品选择指南
    产品编号
    稳压电压范围： VCC = 3.0 - 3.6 V
    速度选项
    全电压范围： VCC = 2.7 - 3.6 V
    最大访问时间， NS （
    t
    加
    )
    最大CE＃访问， NS （
    t
    ce
    )
    最大OE ＃访问， NS （
    t
    oe
    )
    55
    55
    30
    -55R
    -70
    70
    70
    30
    -90
    90
    90
    35
    EN29LV800B
    框图
    VCC
    VSS
    RY / BY ＃
    块保护开关
    DQ0 - DQ15 （ A- 1 ）
    擦除电压发生器
    状态
    控制
    编程电压
    发电机
    芯片使能
    OUTPUT ENABLE
    逻辑
    机顶盒
    输入/输出缓冲器
    WE＃
    命令
    注册
    CE＃
    OE ＃
    数据锁存器
    y解码器
    地址锁存
    机顶盒
    Y型GATING
    VCC探测器
    定时器
    X解码器
    细胞矩阵
    A0-A18
    该数据表可以通过后续的版本中修改
    或修改，由于改变的技术规格。
    6
    ©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
    修订版G，发行日期： 2006年5月16日

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