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EN29LV800BB-70TI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV800BB-70TI
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内容描述: 8兆位( 1024K ×8位/ 512K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 3.0伏只 [8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 41 页 / 346 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV800B
表1.引脚说明
引脚名称
A0-A18
DQ0-DQ14
DQ15 / A- 1
CE#
OE #
RESET#
RY / BY #
WE#
VCC
VSS
NC
BYTE #
地址
15数据输入/输出
DQ15 (数据输入/输出,文字模式) ,
A- 1 ( LSB地址输入,字节模式)
芯片使能
功能
图1.逻辑图
EN29LV800B
A0 - A18
DQ0 〜 DQ15
(A-1)
RESET#
CE#
OUTPUT ENABLE
硬件复位引脚
READY / BUSY输出
写使能
电源电压
(2.7-3.6V)
没有连接到任何东西
字节/字模式
OE #
WE#
BYTE #
RY / BY #
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
3
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
修订版G,发行日期: 2006年5月16日