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    EN29LV400AT-55RTIP 参数 Datasheet PDF下载

    EN29LV400AT-55RTIP图片预览
    型号： EN29LV400AT-55RTIP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 512K ×8位/ 256K ×16位）闪存引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只 [4 Megabit (512K X 8-bit / 256K X 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 41 页 / 378 K
    品牌： EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
     浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第1页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EN29LV400AT-55RTIP的Datasheet PDF文件第9页  
    EN29LV400A
    表2A 。 TOP BOOT BLOCK部门架构
    地址范围
    扇形
    (X16)
    10
    9
    8
    7
    6
    5
    4
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    3E000h-3FFFFh
    3D000h-3DFFFh
    3C000h-3CFFFh
    38000h-3BFFFh
    30000h-37FFFh
    28000h-2FFFFh
    20000h-27FFFh
    18000h-1FFFFh
    10000h-17FFFh
    08000h-0FFFFh
    00000h-07FFFh
    扇形
    SIZE
    （千字节/
    K字）
    16/8
    8/4
    8/4
    32/16
    64/32
    64/32
    64/32
    64/32
    64/32
    64/32
    64/32
    A17
    A16
    A15
    A14
    A13
    A12
    (X8)
    7C000h-7FFFFh
    7A000h-7BFFFh
    78000h-79FFFh
    70000h - 77FFFh
    60000H - 6FFFFh
    50000H 〜 5FFFFh
    40000H 〜 4FFFFh
    30000H 〜 3FFFFH
    20000H - 2FFFFh
    10000H - 1FFFFH
    00000H - 地址0FFFFh
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    X
    X
    该数据表可以通过后续的版本中修改
    或修改，由于改变的技术规格。
    4
    ©2005宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
    A版，发行日期： 2005年1月7日

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