EN29LV512
复位命令必须发出重新启用该设备用于读出阵列的数据，如果DQ5变高时，或
而在自动选择模式。请参阅下一节复位的详细信息。
自选命令序列
自动选择命令序列允许主机系统访问的制造商，设备
码，并判断一个扇区是否是受保护的。该命令定义表显示
地址和数据要求。这是一种替代，需要V中的方法
ID
在地址位A9
并适用于PROM编程器。
两个解锁周期后自动选择命令启动自动选择命令序列。
自动选择模式，然后输入与该系统可以读出在表4中任何数目的显示地址
次，而无需另外的命令序列。
该系统必须写入复位命令退出自选模式，并返回读取阵列数据。
编程命令
编程EN29LV512是通过使用一个4总线周期操作（两个解锁写完成
周期其次是程序设置命令和程序数据写周期） 。当节目
命令被执行时，没有额外的CPU控制或定时是必要的。一个内部定时器
自动终止程序运行。地址被锁存的下降沿
CE
or
宽E
，取其最后;数据被锁存的上升沿
CE
or
宽E
，以先到为准。
编程状态可以通过采样数据DQ7检查（
数据
轮询）或DQ6 （切换
位）。 ） 。当程序操作成功完成，该设备返回到读模式并
用户可以读取编程到器件在该地址中的数据。需要注意的是数据不能
从0到1。只有擦除操作编程的数据可以改变从0到1时
超过极限编程时间， DQ5将产生一个逻辑“1”和一个复位命令可以
返回设备读取模式。
解锁绕道
为了加快编程操作时，解锁绕道命令可被使用。一旦此功能
被激活时，可以使用的较短的2周期解锁绕道程序命令代替
普通四冲程程序命令对器件编程。这个模式被发出后退出
解锁绕道复位命令。该器件上电时使用此功能禁用。
芯片擦除命令
芯片擦除是六总线周期的操作。该芯片擦除命令序列被写两个启动
解锁循环，接着一个建立命令。两个额外的解锁写周期，然后接着是
芯片擦除命令，从而调用嵌入式擦除算法。该设备不
不
要求
在擦除之前的系统进行预编程。嵌入式擦除算法自动preprograms和
验证整个存储器用于现有电擦除所有零数据模式。不需要在系统
要在这些操作提供任何控制或定时。该命令定义表显示
地址和数据要求对于芯片擦除命令序列。
嵌入式芯片擦除算法期间写入芯片的任何命令都会被忽略。
该系统可以通过使用DQ7 ， DQ6 ，或DQ2确定擦除操作的状态。请参阅“写
操作状态“，了解有关这些状态位的信息。当嵌入式擦除算法完成，
该设备返回到读取阵列数据和地址都不再锁定。
流程图图4示出该算法来执行擦除操作。请参阅擦除/编程操作表
“AC特性”的参数，并在芯片/扇区擦除操作时序的时序
波形。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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© 2003宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2004年1月5日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
