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EN29LV512-70JC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV512-70JC
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内容描述: 512千位( 64K ×8位)的统一部门, CMOS 3.0伏只快闪记忆体 [512 Kbit (64K x 8-bit ) Uniform Sector, CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 35 页 / 401 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV512
以较迟者为准发生。所有的数据被锁存WE#或CE #的上升沿,发生者为准
第一。该系统不要求提供进一步的控制或定时。自动装置
提供内部产生的编程/擦除脉冲和验证的编程/擦除的单元格“
利润率。主机系统可以检测程序完成,或者通过阅读擦除操作
DQ [7] (数据#投票)和DQ [6] (切换)状态位。
本文档中的“命令定义”部分提供了具体的器件的详细信息
在EN29LV512执行命令。
扇区保护/ unprotection的
硬件扇区保护功能禁用这两个程序,任何部门擦除操作。该
硬件部门解除保护功能重新启用这两个程序,并在此前擦除操作
受保护的行业。
部门保护/解除保护仅用于编程设备。此方法要求
V
ID
同时适用于OE#和A9销和非标准微处理器定时被使用。这
方法在一个叫EN29LV512补充独立的文件中描述,
一个能得到
通过接触宙硅解决方案, Inc.代表
自动休眠模式
自动睡眠模式,最大限度地降低闪存器件的能耗。自动装置
使得当地址保持稳定吨这种模式
+为30ns 。自动睡眠模式
独立的CE # , WE#和OE #控制信号。标准地址的访问时序提供
当地址被改变的新数据。而在睡眠模式下,输出锁存并始终
系统可用的。 ICC
4
在DC特性表代表了自动睡眠更
目前的规范。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
7
© 2003宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2004年1月5日