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EN29LV512-70SCP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV512-70SCP
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内容描述: 512千位( 64K ×8位)的统一部门, CMOS 3.0伏只快闪记忆体 [512 Kbit (64K x 8-bit ) Uniform Sector, CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 35 页 / 401 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV512
表6.状态寄存器位
DQ
名字
逻辑电平
‘1’
‘0’
7
轮询
德网络nition
删除完成或
擦除部门擦除暂停
擦除正在进行
项目完成或
非擦除扇区的数据
擦除过程中暂停
程序正在进行
擦除或方案正在进行
擦除时读暂停
抹掉完成
编程或擦除错误
编程或擦除正在进行
擦除操作开始
擦除超时时间持续
芯片擦除,擦除或擦除
暂停在当前
讨论
部门。 (当DQ5 = 1 ,擦除
由于误差为当前
解决部门。节目
擦除过程中挂起导通
要在当前地址
擦除挂起阅读
非擦除挂起部门
数据
DQ7
DQ7
‘-1-0-1-0-1-0-1-’
DQ6
‘-1-1-1-1-1-1-1-‘
6
切换
5
3
错误位
抹去
时间bit
‘1’
‘0’
‘1’
‘0’
2
切换
‘-1-0-1-0-1-0-1-’
DQ2
注意事项:
DQ7
数据
投票:表示编程或擦除过程中P / E状态检查,并在检查位DQ5前完成
用于编程或擦除成功。
DQ6触发位:保持在恒定水平时, P / E操作完成或擦除暂停被确认。
连续读取输出互补的数据DQ6在编程或擦除操作仍在进行中。
DQ5错误位:置为“1 ” ,如果在编程失败或擦除
DQ3扇区擦除命令超时位:操作已经开始。唯一可能的命令擦除暂停( ES ) 。
DQ2触发位:表示擦除状态,并可以识别擦除扇区。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
15
© 2003宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2004年1月5日