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EN29LV512-70SCP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV512-70SCP
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内容描述: 512千位( 64K ×8位)的统一部门, CMOS 3.0伏只快闪记忆体 [512 Kbit (64K x 8-bit ) Uniform Sector, CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 35 页 / 401 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV512
试图读取该设备会产生一次写DQ7的真实数据。嵌入式
编程,
数据
轮询后的第四个上升沿有效
WE
or
权证
脉冲在四
周期序列。
当嵌入的擦除过程中,尝试读取设备将产生一个“0”,在
DQ7输出。当完成了嵌入式擦除,设备会产生“ 1 ”在DQ7
在读输出。对于芯片擦除时,
数据
轮询后的第六个上升沿有效
宽E
or
CE
脉冲中的六个周期的序列。对于扇区擦除,
数据
投票是在最后有效
扇区擦除的上升沿
宽E
or
权证
脉搏。
数据
轮询必须在任何地址被编程或扇区内执行
擦除和不被保护的扇区。否则,
数据
投票可能会给出一个准确的结果,如果
使用的地址是在一个受保护的行业。
之前,为了完成嵌入式操作, DQ7可能改变异步时
输出使能(
OE
)是低的。这意味着该设备的驱动状态信息的DQ7在
的时间和有效数据的时间的下一个瞬间1瞬间。根据系统时
样品的DQ7输出,它可以读取有效数据的状态。即使该设备已完成
嵌入式的操作和DQ7有一个有效的数据,在DQ0 -DQ6数据输出可能仍然无效。
在DQ0 - DQ7的有效数据将被读取的后续读取的尝试。
该流程图
数据
轮询( DQ7 )被显示在流程图5。
数据
轮询( DQ7 )时序
图示于图8 。
DQ6 :切换位I
该EN29LV512提供DQ6一个“触发位”,以表明主机系统的状态
嵌入式编程和擦除操作。 (见表6 )
在嵌入式编程或擦除操作,连续尝试从设备读取数据
在任何地址(通过切换
OE
or
CE
)将导致“零”,“一”之间DQ6切换。一旦
嵌入式编程或擦除操作完成后, DQ6将停止切换,有效的数据将
读取下一个连续的尝试。在字节编程,切换位后有效
第四个上升沿
WE
脉冲中的4周期的序列。对于芯片擦除,切换位
之后的第六周期序列的上升沿有效。对于扇区擦除,之后触发位是有效的
扇区擦除的最后一个上升沿
宽E
脉搏。
在字节编程,如果被写入该部门是受保护的, DQ6将切换为约2
µs,
然后
停止切换而无需在扇区中的数据已经改变。在扇区擦除或芯片擦除,如果所有的
所选块保护, DQ6将发生翻转约100
µs.
该芯片将返回到读
模式没有在所有受保护的块变化的数据。
无论是切换
CE
or
OE
会引起DQ6切换。
为触发位( DQ6 )的流程图如图6流程图翻转位时序图
在图9所示
.
DQ5 :超出时间限制
DQ5指示是否编程或擦除时间超过了规定的内部脉冲计数
极限。在这些条件下DQ5产生一个“1 ”,这是一个失败的情况,表示
编程或擦除周期没有成功完成。因为它是可能的DQ5可以成为
1 ,当该设备已成功地完成了它的操作,并返回到读取模式下,用户
必须再次检查,看是否DQ6上DQ5检测到“ 1 ”后切换。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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© 2003宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2004年1月5日