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EN29LV512-70SCP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV512-70SCP
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内容描述: 512千位( 64K ×8位)的统一部门, CMOS 3.0伏只快闪记忆体 [512 Kbit (64K x 8-bit ) Uniform Sector, CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 35 页 / 401 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV512
USER MODE定义
待机模式
该EN29LV512具有CMOS兼容的待机模式,从而降低了电流
& LT ;
1µA
(典型值) 。这是摆在CMOS兼容的待机时
CE
引脚为V
CC
±
0.3 。该设备还
具有TTL兼容的待机模式,从而降低了最大V
CC
到< 1毫安电流。这是
摆在TTL兼容的待机时
CE
引脚为V
IH
。当在待机模式下,输出
处于高阻抗状态的独立的
OE
输入。
读取模式
该装置会自动设置为设备后,开机读取阵列数据。没有命令要求
检索数据。该器件还准备读阵列数据完成一个嵌入式程序后或
嵌入式擦除算法。
之后,该设备接受一个擦除挂起命令时,器件进入擦除挂起模式。该
系统可以使用标准的读出定时,除了读阵列数据,如果它读取在内的地址
删除悬浮部门,设备输出状态数据。在完成编程操作在后
擦除挂起模式中,系统可以再次读取阵列数据具有相同的异常。看
“擦除暂停/删除恢复命令”了解更多信息。
该系统
必须
发出复位命令来重新启用该设备用于读取数组数据,如果DQ5变
高时,或处于自动选择模式。请参阅“复位指令”的更多细节。
输出禁止模式
CE
or
OE
销是在逻辑高电平(V
IH
) ,从EN29LV512输出被禁止。
输出引脚被置于高阻抗状态。
自动选择识别模式
自选模式提供了制造商和设备标识和部门保护
验证通过DQ7 - DQ0识别码输出。这种模式的主要目的是
编程设备来自动匹配的装置,以与其对应的编程
规划算法。然而,在自动选择的代码,也可以在系统通过访问
命令寄存器。
当使用编程设备中,自动选择模式,需要V
ID
( 11 V )在地址引脚A9 。
地址引脚A8 ,A6, A1和A0必须在自动选择代码表中,如图所示。另外,当
验证扇区保护,扇区地址必须出现在相应的最高位地址,
位。参考相应的扇区地址表。该命令定义表显示
余下的地址位是鸵鸟政策护理。当所有必要的位已经被设置为所需的
然后编程设备可以读取相应的识别码在DQ7 - DQ0 。
要访问系统的自动选择编码;主机系统可以通过发出自动选择命令
命令寄存器,如图所示的命令定义表中。此方法不需要
V
ID
。请参阅“命令定义”使用自动选择模式的详细信息。
写模式
写操作,包括编程数据和擦除的存储扇区,需要主机
系统编写的命令或命令序列到设备。写周期被启动
把字节或字地址上的设备的地址输入,而将要写入的数据被输入
上的DQ [7:0 ] 。主机系统必须驱动CE #和WE #引脚低电平, OE #引脚为高一
有效的写操作发生。所有地址锁存, WE#和CE #下降沿,
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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© 2003宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2004年1月5日