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EN29LV512-70SCP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29LV512-70SCP
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内容描述: 512千位( 64K ×8位)的统一部门, CMOS 3.0伏只快闪记忆体 [512 Kbit (64K x 8-bit ) Uniform Sector, CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 35 页 / 401 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29LV512
命令德网络nitions
该EN29LV512的操作由写入到一个或多个命令中选择
命令寄存器执行读/复位内存,读取ID ,读取扇区保护,程序,
扇区擦除,芯片擦除,擦除暂停和擦除恢复。命令是由数据的
序列通过命令寄存器写入特定的地址。对于该序列
指定操作是命令定义表(表5)中所定义。不正确的地址,
不正确的数据值或不当序列将重置设备读取模式。
表5. EN29LV512命令定义
总线周期
命令
顺序
RESET
制造商ID
自选
周期
1
RA
Xxx
555
st
2
RD
F0
AA
2AA
nd
3
添加
rd
4
添加
th
5
th
6
th
周期
添加
数据
周期
添加
数据
周期
数据
周期
数据
周期
添加
数据
周期
添加
数据
1
1
4
55
555
90
100
1C
器件ID
4
555
AA
2AA
55
555
90
X01
6F
部门保护验证
4
555
AA
2AA
55
555
90
(SA)的
X02
PA
00/
01
PD
节目
解锁绕道
解锁绕道程序
解锁绕道复位
芯片擦除
扇区擦除
擦除挂起
删除恢复
4
3
2
2
6
6
1
1
555
555
XXX
XXX
555
555
xxx
xxx
AA
AA
A0
90
AA
AA
B0
30
2AA
2AA
PA
XXX
2AA
2AA
55
55
PD
00
55
55
555
555
A0
20
555
555
80
80
555
555
AA
AA
2AA
2AA
55
55
555
SA
10
30
地址和数据值以十六进制表示
RA =读地址:内存位置的地址进行读取。这是一个读周期。
RD =读取数据:读取操作过程中,从位置RA读取数据。这是一个读周期。
PA =程序地址:所述存储单元的地址进行编程。 X =不 - 护理
PD =程序数据:数据在位置PA编程
SA =扇区地址:该部门的地址被删除或验证。地址位A16 - A14唯一选择任何行业。
读阵列数据
该装置会自动设置为开机后读取阵列数据。没有命令要求
检索数据。该器件还准备读阵列数据完成一个嵌入式程序后或
嵌入式擦除算法。
以下擦除挂起命令,擦除挂起模式进入。该系统可以读出阵列
使用标准的数据读取定时,在该唯一的区别,即使读取的内擦除一个地址
悬浮部门,设备输出状态数据。在完成编程操作,在后
擦除暂停模式中,系统可以再次使用相同的异常读取阵列的数据。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
9
© 2003宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本B ,发行日期: 2004年1月5日