EN29PL032A
EN29PL032A
32兆位(2M ×16位) CMOS电压3.0只,
同时,读/写闪存
特色鲜明
架构优势
•
32 Mbit的页面模式设备
- 4个字页面大小:快速页面读取访问权限
从页内的任意位置
•
单电源工作
- 2.7V至3.3V电压范围内有效的MCP
产品
- 单电压, 2.7V至3.6V的读取和写入
操作
•
同时读/写操作
- 可以将数据连续地从一个存储体读
在执行擦除/编程功能
另一家银行
- 从写零延迟切换阅读
操作
•
FlexBank架构
- 4个独立的银行,拥有多达两个并发
每台设备的操作
- 银行 - 答: 4兆位( 4千瓦×8和32千瓦×7 )
- 银行B: 12兆位( 32千瓦×24 )
- 银行C: 12兆位( 32千瓦×24 )
- 银行D: 4兆位( 4千瓦×8和32千瓦×7 )
•
安全硅行业区域
- 64个字安全硅行业区域
•
在一个设备中底部和顶部的引导块
•
自行车耐力: 100K周期每扇区
典型
性能特点
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-
-
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-
-
-
高性能
页面访问时间快25纳秒
随机存取时间快70纳秒
功耗(在10 MHz时的典型值)
45毫安有效的读电流
17毫安编程/擦除电流
0.2 μA典型待机模式电流
软件特点
•
软件指令集兼容
JEDEC 42.4标准
•
CFI (通用闪存接口)兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统,允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
•
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,以便阅读或
在同其他部门的程序操作
银行
•
程序挂起/恢复计划
- 挂起的程序操作,使阅读
从行业比另一个操作
被编程
硬件特性
•
就绪/忙#引脚( RY / BY # )
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
•
硬件复位引脚( RESET # )
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
•
WP # / ACC (写保护/加速)输入
- 在V
IL
,对于第一硬件级别的保护和
最后两个4K字部门。
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 在V
HH
提供加速编程中
出厂设置
•
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定
个别部门和行业的组合
基团,以防止编程或擦除操作
该部门内
- 扇区可以被锁定和解锁的系统内,在
V
CC
水平
•
封装选项
- 48针TSOP - 1
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司,
www.eonssi.com
版本B ,发行日期: 2010/12/27