EN29PL032A
1.同步读/写操作零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间划分成4个存储体，它可以被认为是四个单独的存储器阵列，只要一定
操作有关。该设备可以通过允许宿主改善系统的整体性能
系统编程或擦除在一家银行，然后立即和同时从另一家银行看
零延迟（与在任一时刻运行两个同时操作）。这释放
系统从等待完成一个程序的操作或擦除操作，大大提高了系统
性能。
该装置可被安排在底部和顶部的扇区配置。银行组织
如下：
银行
A
B
C
D
扇区
4兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×7 ）
12兆位（ 32千瓦×24 ）
12兆位（ 32千瓦×24 ）
4兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×7 ）
1.1页模式功能
页大小是4个字。后初始页面访问完成时，页面模式操作提供
该网页内的任意位置快速读取访问速度。
1.2标准闪存产品特点
该设备需要
单3.0伏电源
（ 2.7 V至3.6 V ），用于读取和写入功能。
内部产生的并提供了用于在程序稳压电压和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存
标准。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部状态机控制的擦除和编程
电路。写周期也在内部锁存器所需的编程地址和数据擦除
操作。读出的数据的设备类似于从其他Flash或EPROM器件读取。
器件编程时通过执行程序指令序列。加速计划
模式，要求只有两个写周期编程数据，而不是有利于更快的编程时间
4 。设备擦除时通过执行擦除命令序列。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成后通过阅读DQ7
（数据＃投票）和DQ6 （切换）
状态位。
后一个程序或擦除周期已经完成，该
设备已准备好读取阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区进行擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。从工厂发货时，该设备被完全擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写
在电源转换操作。硬件扇区保护功能禁用这两个方案，并
中的存储器扇区的任意组合擦除操作。这可以在系统或通过实现
编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能允许用户将擦除搁置任何时期
时间来读取数据，或程序数据，即不选择擦除的任何扇区。真实背景
擦除可以由此来实现。如果读从安全硅行业领域需要（一次性
节目区）后的擦除暂停，则用户必须使用适当的命令序列以进入
并退出该区域。
该
程序挂起/恢复计划
功能使用户持有的编程操作，以
从没有被选择用于编程的任何扇区中读出的数据。如果读是从安全需要
硅业区，持久保护区，或CFI区，后一个程序挂起，那么用户
必须使用适当的命令序列以进入和退出该区域。
该器件提供两种省电功能。当地址已稳定于规定量
时间，设备进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。功率消耗在这两种模式下大大降低。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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©2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
版本B ，发行日期： 2010/12/27
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
