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EN29SL800 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29SL800
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内容描述: 8兆位( 1024K ×8位/ 512K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 1.8伏只 [8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 1.8 Volt-only]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 43 页 / 337 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29SL800
产品选择指南
产品编号
速度选项
稳压电压范围: VCC = 1.8 -2.2V
全电压范围: VCC = 1.65 - 2.2 V
最大访问时间, NS (
t
)
最大CE#访问, NS (
t
ce
)
最大OE #访问, NS (
t
oe
)
70
70
30
-70
-90
90
90
35
EN29SL800
框图
VCC
VSS
RY / BY #
块保护开关
DQ0 - DQ15 ( A- 1 )
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE#
命令
注册
CE#
OE #
数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A0-A18
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
7
©2004宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
Rev. D的,发表日期: 2006年11月6日