EN29SL800
表3.操作模式
8M的FLASH USER MODE表
DQ8-DQ15
BYTE ＃
BYTE ＃
= V
IH
= V
IL
D
OUT
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z高阻
高-Z高阻
高-Z高阻
D
IN
X
手术
读
写
CMOS待机
输出禁用
硬件复位
临时机构
撤消
CE＃
L
L
V
cc
±
0.2V
L
X
X
OE ＃
L
H
X
H
X
X
WE＃
H
L
X
H
X
X
RESET＃
H
H
V
cc
±
0.2V
H
L
V
ID
A0-A18
A
IN
A
IN
X
X
X
A
IN
扇形
地址， A6 =
L时， A 1 = H，
A0 = L
扇形
地址， A6 =
L时， A 1 = H，
A0 = L
DQ0-
DQ7
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
部门保护
L
H
L
V
ID
D
IN
X
X
部门撤消
L
H
L
V
ID
D
IN
X
X
注意事项：
L =逻辑低= V
IL
，H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
=10.0
±
1.0V ， X =无所谓（ L或H，但不浮！ ）
D
IN
=数据，D
OUT
=数据输出，A
IN
=地址
表4.辨识的装置（自选代码）
8M闪存制造商/设备ID表
描述
模式
制造商ID ：
宙
器件ID
字
（上启动
块）
CE
#
L
L
L
L
L
L
OE
#
L
L
L
L
L
L
W
E#
H
H
H
H
H
H
A18
to
A12
X
X
X
A11
to
A10
X
X
X
A9
2
A8
A7
A6
A5
to
A2
X
X
X
A1
A0
DQ8
to
DQ15
X
22h
X
22h
X
X
DQ7到
DQ0
1Ch
EAH
EAH
6Bh
6Bh
01h
（被保护）
V
ID
V
ID
V
ID
H
1
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
H
H
字节
字
字节
X
X
器件ID
（底部引导
块）
扇区保护
验证
SA
X
V
ID
X
X
L
X
H
L
X
00h
（无保护）
注意：
1.如果一个制造ID被读取A8 = L时，芯片将输出配置代码7Fh的。进一步制造业ID必须是
阅读A8 = H 。
2. A9 = VID仅用于HV A9自选模式。 A9必须
≤
工作电压（ CMOS逻辑电平）的命令自动选择模式。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
8
©2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
Rev. D的，发表日期： 2006年11月6日
EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
