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引脚说明（简体）
针
名字
J8,K8
CK ， / CK
EM44AM1684LBA
功能
（系统时钟）
CK和CK是差分时钟输入。所有地址和控制
输入信号采样上的正边缘的交叉
CK和CK的下降沿。输出（读出）的数据被引用到
CK和CK的交叉（交叉的两个方向） 。
（片选）
当CS为高电平注册的所有命令被屏蔽。 CS
提供了与多个系统的外部排名的选择
行列。 CS被认为是命令代码的一部分。
（时钟使能）
CKE高激活和CKE低停用内部时钟信号
与设备的输入缓冲器和输出驱动器。以CKE低
提供预充电掉电和自刷新操作（所有
银行闲置） ，或Active掉电（行活动在任何一家银行） 。 CKE
是同步进行掉电出入境和自刷新
条目。 CKE是异步的自刷新退出。 CKE必须
维持高通量的读写访问。输入缓冲器，
不包括CK ， CK ， ODT和CKE是在断电禁用。
输入缓冲器，但不包括CKE被禁止在自刷新。
（地址）
所提供的行地址为有效的命令和列
地址和自动预充电位读/写命令
选择一个位置在各行的存储器阵列的。
预充电命令时A10进行采样，以确定
无论是预充电适用于一家银行（ A10 LOW）或所有银行
（ A10 HIGH ） 。如果只有一个存储体是被预充电，该行是
由BA0 ， BA1选择。地址输入还提供了
在模式寄存器设置操作码指令。
（银行地址）
BA0 - BA1确定哪个银行的积极，读，写或
预充电命令被应用（对于256Mb的和512MB ， BA2
不应用） 。银行地址也确定了模式寄存器
或扩展模式寄存器是在一个MRS或要被访问
EMRS周期。
（片上终端）
ODT （注册HIGH ）使终端电阻内部
在DDR2 SDRAM中。当启用时， ODT被施加到每个DQ ，
UDQS / UDQS ， LDQS / LDQS ， UDM和LDM信号。所述ODT管脚
如果扩展模式寄存器（ EMRS （1））是将被忽略
编程禁用ODT 。
（命令输入）
/ RAS ， / CAS和/ WE （以及/ CS）是定义命令是
输入。
（数据选通）
输出读取数据，输入与写入数据。边沿对齐的读
数据中心中写入数据。 LDQS对应于数据上
DQ0 - DQ7 ; UDQS对应于DQ8 - DQ15数据。该
数据选通信号和LDQS UDQS可以在单端模式下使用
或搭配可选的互补信号/ LDQS和/ UDQS
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L8
/ CS
K2
CKE
M8,M3,M7,N2,N8,
N3,N7,P2,P8,P3,
M2,P7,R2
A0~12
L2,L3
BA0 ， BA1
K9
ODT
K7 ， L7 ， K3
/ RAS ， / CAS ，
/ WE
B7,A8,F7,E8
UDQS ， / UDQS ，
LDQS ， / LDQS
2006年7月
EOREX [ EOREX CORPORATION ]
