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PBM3960-1 参数 Datasheet PDF下载

PBM3960-1图片预览
型号: PBM3960-1
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内容描述: 微控制器/双通道数位类比转换器 [Microstepping Controller/Dual Digital-to-Analog Converter]
分类和应用: 转换器微控制器
文件页数/大小: 10 页 / 114 K
品牌: ERICSSON [ ERICSSON ]
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PBM一分之三千九百六十〇
标志
2
V
REF
DA
1
标志
1
CD
1
V
DD
WR
D7
D6
D5
D4
D3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
22
21
20
19
RESET
DA
2
标志
2
CD
2
V
SS
CS
A1
A0
D0
D1
D2
N / C
DA
2
RESET
5
6
7
8
9
10
11
CD
2
V
SS
CS
28
27
26
4
3
2
1
N / C
A1
A0
25
24
D0
D1
D2
N / C
D3
D4
D5
PBM
3960/1N
18
17
16
15
14
13
12
N / C
V
REF
DA
1
N / C
PBM
3960/1QN
23
22
21
20
19
12
13
14
15
16
17
标志
1
CD
1
V
DD
图4.引脚配置。
引脚说明
请参考图4 。
DIP
PLCC
符号
描述
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
9
10
12
13
14
15
16
17
19
20
21
23
24
25
27
28
1
2
3
4
6
7
5
8
11
18
22
26
V
REF
DA
1
标志
1
CD
1
V
DD
WR
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
A0
A1
CS
V
SS
CD
2
标志
2
DA
2
RESET
参考电压电源引脚,2.5V标称值( 3.0 V最大)
数字 - 模拟1 ,电压输出。 0.0 V和V之间的输出
R
- 1 LSB 。
注册1 , TTL / CMOS电平。直接连接到PBL 3771相输入端。
数据位D7被转移非从PBM 3960/1/1数据输入反转。
电流衰减1 , TTL / CMOS电平。的信号时自动生成
衰减电平进行编程。低电平=快速电流衰减。
电压漏漏,逻辑电源电压。通常+5 V.
写TTL / CMOS电平,输入写入到内部寄存器。
数据移入触发器的上升沿。
数据如图7所示, TTL / CMOS电平,输入到设置在数据字数据的位7 。
数据6 , TTL / CMOS电平,输入到设置在数据字的数据位6 。
数据5 , TTL / CMOS电平,输入设定的数据位5的数据字。
数据如图4所示, TTL / CMOS电平,输入到设置在数据字数据的位4 。
数据3 , TTL / CMOS电平,输入要设定的数据位3的数据字。
数据2 , TTL / CMOS电平,输入要设定的数据位2的数据字。
数据1 , TTL / CMOS电平,输入要设定的数据位1数据字。
数据0 , TTL / CMOS电平,输入设定的数据位0的数据字。
地址0 , TTL / CMOS电平,输入选择数据传输,
A0运河1 ( A0 = LOW )和通道2 ( A0 = HIGH)之间进行选择。
地址1 , TTL / CMOS电平,输入选择数据传输。 A1正常之间进行选择
D / A寄存器编程( A1 = LOW)和衰减电平寄存器编程( A1 =高) 。
芯片选择, TTL / CMOS电平,输入到芯片的选择并激活数据传输
从数据输入。低电平=芯片被选中。
电压源来源。接地引脚, 0V参考所有信号和
测量,除非另有说明。
电流衰减2 , TTL / CMOS电平。该信号是自动生成的
当衰减电平进行编程。低电平=快速电流衰减。
2.登录TTL / CMOS电平。可直接连接到的PBL 3771符号输入。
数据位D7被转移非反转从PBM一分之三千九百六十零数据输入。
数字 - 模拟2 ,电压输出。 0.0 V和V之间的输出
REF
- 1 LSB 。
复位,数字输入复位内部寄存器。
高电平=复位,V
水库
3.5 V =高电平。拉低内部。
没有连接
没有连接
没有连接
没有连接
没有连接
没有连接
4
WR
N / C
D7
D6
18