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    M52D128168A-10BIG 参数 Datasheet PDF下载

    M52D128168A-10BIG图片预览
    型号： M52D128168A-10BIG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2M ×16位×4银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 47 页 / 1134 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第11页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第12页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第13页浏览型号M52D128168A-10BIG的Datasheet PDF文件第14页  
    ESMT
    BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
    Initial Adrress
    A1
    0
    0
    1
    1
    A0
    0
    1
    0
    1
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    1
    3
    0
    1
    2
    0
    1
    2
    3
    Sequential
    M52D128168A
    Operation Temperature Condition -40°C~85°C
    Interleave
    1
    0
    3
    2
    2
    3
    0
    1
    3
    2
    1
    0
    BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)
    Initial
    A2
    0
    0
    0
    0
    1
    1
    1
    1
    A1
    0
    0
    1
    1
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    1
    1
    A0
    0
    1
    0
    1
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    1
    0
    1
    0
    1
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    1
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    0
    1
    7
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    5
    4
    3
    2
    1
    0
    Sequential
    Interleave
    Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
    Publication Date: Sep. 2008
    Revision: 1.0
    10/47

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