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    F25L004A-100PG 参数 Datasheet PDF下载

    F25L004A-100PG图片预览
    型号： F25L004A-100PG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3V只有4兆位串行闪存 [3V Only 4 Mbit Serial Flash Memory]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 30 页 / 418 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号F25L004A-100PG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号F25L004A-100PG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号F25L004A-100PG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号F25L004A-100PG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号F25L004A-100PG的Datasheet PDF文件第11页浏览型号F25L004A-100PG的Datasheet PDF文件第12页浏览型号F25L004A-100PG的Datasheet PDF文件第13页浏览型号F25L004A-100PG的Datasheet PDF文件第14页  
    ESMT
    字节编程
    该字节编程指令计划在选定的位
    字节到期望的数据。所选择的字节必须在擦除
    状态（ FFH ）启动一个程序运行时。一个字节编程
    应用到受保护的存储器区域的指令将被忽略。
    在此之前的任何写操作，写使能（ WREN ）
    指令必须被执行。 CE必须保持有效低电平
    在字节编程指令的时间。该字节编程
    F25L004A
    指令是通过执行一个8位的命令， 02H发起
    其次是地址位[A
    23
    -A
    0
    ] 。以下的地址，该数据
    被输入，以便从最高有效位（位7）到LSB （位0） 。行政长官必须是
    驱动为高电平指令执行前。用户可以查询
    软件状态的忙位寄存器或等待TBP的
    内部自定时字节编程操作完成。
    参见图4为字节编程序列。
    CE
    MODE3
    SCK MODE0
    0 1 2 3 4 5 6 7 8
    15 16
    23 24
    31 32
    39
    SI
    最高位
    02
    添加。
    最高位
    高IMPENANCE
    添加。
    添加。
    D
    IN
    MSB LSB
    SO
    图4 ：字节编程序列
    晶豪科科技有限公司
    出版日期： 2009年1月
    修订： 1.6
    10/30

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