M12L128168A_1 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M12L128168A_1
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内容描述：	2M ×16位×4银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	22 页 / 361 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

ESMT

设备操作（续）

划分吨

RCD （分钟）

在时钟周期的时间，然后四舍五入

的结果到下一个较大整数。 SDRAM中有四个

在内部相同的芯片和部分股份内部银行

电路，以减小芯片面积，因此它限制了活化

四家银行同时进行。期间还产生噪音

传感SDRAM的每家银行被要求高一些时间

对于电源恢复之前另一家银行可以

可靠的检测。吨

RRD （分钟）

指定所需的最短时间

与激活不同的银行。时钟周期的数目

不同的存储体的激活之间需要必须计算

类似吨

RCD

规范。所需的最短时间

银行要主动开始检测和恢复完整

动力单元的行为t确定

RAS （分钟）

。每个SDRAM

行激活命令必须满足t

RAS （分钟）

规范

前一个预充电命令到该活动的银行可以

断言。的最大时间的任何银行可以在有源

状态为t确定

RAS

（最大值）和叔

RAS

（最大）可

计算类似吨

RCD

特定连接的阳离子。

M12L128168A

工作温度条件-40

C ~85

DQM操作

该DQM用于屏蔽输入和输出操作。它

工作原理类似于OE操作过程中，抑制写作

在写操作。所读取的等待时间是从2个周期

DQM和零周期进行写入，这意味着DQM屏蔽

在读周期发生两个周期后，并发生在

在写周期相同的周期。 DQM操作

同步的，与时钟。该DQM信号是非常重要的

在写与读或预充电突发中断

SDRAM中。由于内部的异步性质

写的DQM操作是至关重要的，以避免不必要的或

不完全写入时完成突发写的

所需。请参考DQM时序图也。

预充电

预充电是通过在有效的银行进行

银行间声称低时钟周期需要

激活并要求银行激活之间的时钟周期

和CS ， RAS ，

和A10 / AP凭有效A13 〜 A12的

银行要procharged 。可以在预充电命令

被T后，可随时主张

RAS （分钟）

从银行被满足

在所需的银行活动的命令。吨

被定义为

须完成行时钟周期的最小数目

预充电除以吨计算

与时钟周期

时间和上舍入到下一个较高的整数。关怀

应注意确保突发写入是

完成或DQM使用前防止写入

预充电命令是断言。的最大时间的任何

银行可以为t指定的活动

RAS

（最大值）。因此，

每家银行必须预充电与T

RAS

（最大）从

银行激活命令。在预充电，所述的端部

银行进入空闲状态，并准备启动

再次。进入掉电，自动刷新，自动刷新和

模式寄存器设置等是可能只有当所有银行都

在空闲状态。

突发读

猝发读命令用于对访问数据突发

从活动行连续的时钟周期中有效的银行。

由主张低CS发出的突发读取命令

并与RAS

被高高的上升沿

时钟。银行必须至少激活吨

RCD （分钟）

前

突发读取命令发出。第一输出出现在CAS

突发的问题阅读后延迟的时钟周期数

命令。突发长度，突发的顺序和延迟

猝发读命令是由模式寄存器确定的

这已经是编程。突发读取可以启动

在有源行的任意列地址。地址包裹

周围如果初始地址不会从边界开始

使得一些从每个I / O输出等于

脉冲串长度中的模式寄存器进行编程。输出

进入高阻抗，在脉冲串结尾，除非新的

突发读取发起，以保持数据的无缝输出。该

突发读取可以通过发出另一个突发读取或终止

在同一家银行或其他有效的银行或突发写入

预充电命令相同的银行。突发停止

命令是在每一页的突发长度有效。

自动预充电

在预充电操作，也可以通过使用执行

自动预充电。 SDRAM的内部生成的

定时满足t

RAS （分钟）

和“t

“对于突发编程

长度和CAS延迟。自动预充电命令

通过认定高上发出的同时作为猝发写

A10 / AP ，该行预充电命令是断言。

一旦自动预充电命令被给出，没有新的

命令是可能的，直到该特定的银行

银行达到空闲状态。

突发写

突发写入命令类似突发读取命令

和用于将数据写入到在连续的时钟SDRAM的

根据突发长度在相邻的地址周期和

爆序列。通过置低CS ， CAS和

用有效的列地址，写入脉冲串的开始。数据

在相同的时钟被提供给初始地址输入

周期的突发写入命令。输入缓冲器是

取消选择在脉冲串长度的端部，即使

内部写入仍未能完成。写作可以是

完全通过发出一阵阅读和DQM阻止数据

输入或在相同或另一种活性银行猝发写。该

突发停止命令是在每一个突发长度有效。写

脉冲串，也可以通过使用DQM用于阻止数据终止

和预充电银行吨

RDL

最后一个数据输入后成为

写入主动行。见DQM操作也。

四家银行预充电

四个存储体可以同时使用进行预充电

预充电所有命令。主张低CS ， RAS ，

和

具有高的A10 / AP后，所有银行都

满意吨

RAS （分钟）

的要求，对所有执行预充电

银行。在t的端

进行预充电人人，人后

银行都处于空闲状态。

晶豪科科技有限公司

出版日期：十月2007年

修订： 1.2

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