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M12L128168A_1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: M12L128168A_1
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内容描述: 2M ×16位×4银行同步DRAM [2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 22 页 / 361 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
设备操作(续)
自动刷新
需要SDRAM的存储单元被刷新每64毫秒
保持数据。自动刷新周期完成刷新
存储单元的一行。内部计数器递增
自动在每个自动刷新周期刷新所有
行。由断言低发出自动刷新命令
CS , RAS和CAS高的CKE和
WE
。汽车
刷新命令只能断言所有的银行是
闲置状态,设备未在掉电模式( CKE是
在前面的周期的高点) 。需要完成的时间
用t指定自动刷新操作
RFC (分钟)
。最低
所需的时钟周期数可通过驱动来计算
t
RFC
与时钟周期时间,并将其向上舍入到下一个
更大的整数。自动刷新命令后面必须跟
NOP指令的,直到自动刷新操作完成。汽车
刷新是优选的刷新模式时的SDRAM的
被用于正常的数据处理。自动刷新
周期可以一次在15.6us进行。
M12L128168A
工作温度条件-40
°
C ~85
°
C
自刷新
自刷新是另一刷新模式中可用的
SDRAM 。自刷新是优选的刷新模式
数据保留和SDRAM的低功耗操作。在自
刷新模式中,SDRAM禁止内部时钟和
所有的输入缓冲器除CKE 。刷新地址
和定时由内部产生,以减少功率
消费。
自刷新模式时从所有银行空闲状态进入
通过置低CS , RAS , CAS和CKE用
在高
WE
。一旦自刷新模式时被输入,只有
CKE状态是低的问题,其他所有输入接口,包括
时钟被忽略留在刷新。
自刷新是由外部时钟重新启动退出
然后宣称在高CKE 。这必须跟
NOP指令的在t的最小时间
RFC
在SDRAM之前
到达空闲状态,开始正常运行。这是
推荐使用爆4096自动刷新周期
之前和自刷新后。
晶豪科科技有限公司
出版日期:十月2007年
修订: 1.2
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