M12L2561616A-6TG2K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	M12L2561616A-6TG2K
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内容描述：	JEDEC标准的3.3V电源 [JEDEC standard 3.3V power supply]
分类和应用：	存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小：	45 页 / 933 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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ESMT

框图

CLK

CKE

地址

模式

时钟

发电机

M12L2561616A （2K）

组D

C银行

B组

ROW

地址

卜FF器

＆放大器;

刷新

计数器

行解码器

银行

检测放大器

命令解码器

控制逻辑

L（ U） DQM

RAS

CAS

COLUMN

地址

卜FF器

＆放大器;

计数器

列解码器

输入输出&

卜FF器

闩锁电路

数据控制电路

引脚说明

针

CLK

CKE

A0 ~ A12

BA1 ， BA0

RAS

名字

系统时钟

芯片选择

时钟使能

地址

银行选择地址

行地址选通

输入功能

活跃在正边沿采样所有输入

禁用或启用的设备操作通过屏蔽或使所有

除了输入CLK ， CKE和L （ U） DQM

面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。

CKE应该启用至少一个周期之前的新命令。

禁止输入缓冲器的电源关闭待机。

行/列地址被复用在相同的针。

行地址： RA0 〜 RA12 ，列地址： CA0 〜 CA8

选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。

在列地址锁存器时选择的读/写的银行。

锁存行地址，在CLK的与正向边沿

RAS低。（启用行存取&预充电）。

闩锁， CLK与正边沿列地址

CAS低。（允许列的访问。）

允许写操作和行预充电。

锁存数据从CAS开始，

活跃的。

使得数据输出高阻，T

SHZ

后的时钟和掩模的输出。

块中的数据输入时， L（ U） DQM活跃。

数据输入/输出复用在相同的针。

电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。

对于输出缓冲，以提供分离的电源和接地

增强抗干扰性。

该引脚建议留在设备上的连接。

CAS

列地址选通

写使能

数据输入/输出面膜

数据输入/输出

电源/接地

数据输出电源/接地

无连接

L（ U） DQM

DQ0 〜 DQ15

/ V

DDQ

/ V

SSQ

晶豪科科技有限公司

出版日期： 2012年6月

修订： 1.4

2/45

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