ESMT
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参数
上校地址上校地址的延迟
有效数
输出数据
符号
-10
t
的CCD （分钟）
1
2
1
M12S128168A
单位
t
CK
ea
记
3
4
CAS延时= 3
CAS延时= 2
注：1个时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期的时间，然后需要的最短时间来确定
四舍五入到下一个较大整数。
2.最小的延迟才能完成写操作。
3.所有部件，使每一个周期的列地址的变化。
4.如遇行预充电中断，自动预充电和读取突发停止。
5.新的命令，可给予吨
RFC
后自刷新退出。
6，最多八个连续自动刷新命令（与T
RFCMIN
）可以发布到任何给定的SDRAM ，以及
任何自动刷新命令和下一个自动刷新命令之间的最大绝对间隔
8x15.6
μ
s.)
AC特性
（交流操作条件，除非另有说明）
参数
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CLK为有效
输出延迟
输出数据
保持时间
CLK高pulsh宽度
CLK低pulsh宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CLK到输出
在高阻
注意：
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
t
SAC
符号
民
CLK周期时间
t
CC
10
12
-
-
2.5
2.5
3
3
2.5
1.5
1
-
-
7
8
-
-
-
-
-
-
-
7
8
ns
1,2
-10
最大
1000
ns
1
单位
记
t
OH
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
t
SHZ
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
3
3
3
3
2
-
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间小于1ns的时间更长。 （ TR / 2 - 0.5 ） NS应予以考虑。
3.假设输入的上升和下降时间（tr & TF） = 1ns的。
如果潮流& TF长于1ns的。短暂的时间补偿应该考虑。
即， [ （文+ TF ）/ 2 - 1]纳秒应该被添加到该参数。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2006年11月
修订： 1.0
7/44
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
