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    M13S256328A-5BG 参数 Datasheet PDF下载

    M13S256328A-5BG图片预览
    型号： M13S256328A-5BG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2M ×32位×4银行双倍数据速率SDRAM [2M x 32 Bit x 4 Banks Double Data Rate SDRAM]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 47 页 / 786 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M13S256328A-5BG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M13S256328A-5BG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M13S256328A-5BG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M13S256328A-5BG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M13S256328A-5BG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M13S256328A-5BG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M13S256328A-5BG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M13S256328A-5BG的Datasheet PDF文件第9页  
    ESMT
    DC操作条件&规格
    DC操作条件
    推荐工作条件（电压参考V
    SS
    = 0V ，T
    A
    = 0 〜70℃ ）
    参数
    电源电压
    I / O电源电压
    I / O参考电压
    I / O终端电压（系统）
    输入逻辑高电压
    输入逻辑低电压
    输入漏电流
    输出漏电流
    高输出电流（普通强度的驱动程序）
    (V
    OUT
    =V
    DDQ
    -0.373V ，分V
    REF
    ，分V
    TT
    )
    低输出电流（普通强度的驱动程序）
    (V
    OUT
    = 0.373V)
    输出高电流（弱实力的驱动程序）
    (V
    OUT
    =V
    DDQ
    -0.763V ，分V
    REF
    ，分V
    TT
    )
    输出电流低（弱力驱动程序）
    (V
    OUT
    = 0.763V)
    符号
    V
    DD
    V
    DDQ
    V
    REF
    V
    TT
    V
    IH
    （DC）的
    V
    IL
    （DC）的
    I
    I
    I
    OZ
    I
    OH
    I
    OL
    I
    OH
    I
    OL
    民
    2.3
    2.3
    0.49*V
    DDQ
    V
    REF
    - 0.04
    V
    REF
    + 0.15
    -0.3
    -5
    -5
    -16.8
    +16.8
    -9
    +9
    M13S256328A
    最大
    2.7
    2.7
    0.51*V
    DDQ
    V
    REF
    + 0.04
    V
    DDQ
    + 0.3
    V
    REF
    - 0.15
    5
    5
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    记
    1
    2
    μ
    A
    μ
    A
    mA
    mA
    mA
    mA
    3
    注意事项1. V
    REF
    预计是等于0.5 * V
    DDQ
    发送设备的，并跟踪变化的DC电平
    同样的。峰 - 峰值的V噪音
    REF
    不得超过DC值的2％。
    2.
    V
    TT
    不直接向设备施加。 V
    TT
    是系统供应信号的端接电阻，有望被设置
    等于V
    REF
    的，必须跟踪变化为V的DC电平
    REF
    .
    晶豪科科技有限公司
    出版日期：五月。 2007年
    修订： 1.2
    4/47

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