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    M24L416256DA-70BEG 参数 Datasheet PDF下载

    M24L416256DA-70BEG图片预览
    型号： M24L416256DA-70BEG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 256K ×16 ）伪静态RAM [4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 15 页 / 313 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M24L416256DA-70BEG的Datasheet PDF文件第9页  
    ESMT
    产品组合
    V
    CC
    范围（V ）
    速度
    （纳秒）
    马克斯。
    55
    M24L416256DA
    2.7
    3.0
    3.6
    60
    70
    1
    5
    工作， ICC（毫安）
    F = 1 MHz的
    Typ.[2]
    马克斯。
    M24L416256DA
    功耗
    产品
    分钟。
    待机， ISB2 （ μA ）
    Typ.[2]
    马克斯。
    f = f
    最大
    Typ.[2]
    14
    8
    马克斯。
    22
    15
    典型值。
    17
    40
    注意事项：
    2.Typical值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
    CC
    = V
    CC （典型值）
    和T
    A
    = 25°C.
    3.Ball H 1， G 2 ，H 6是该地址的扩展标签为8兆，16兆和32-兆密度分别。
    4.NC “无连接” - 而不是在内部连接到芯片。
    5.DNU （不使用）的引脚都被悬空或连接到V
    SS
    以确保适当的应用程序。
    晶豪科科技有限公司
    出版日期： 2008年7月
    修订： 1.5
    3/15

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