ESMT
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户
指导线，没有测试。 ）
储存温度.................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用..............................................- 55 ° C至+ 125°C
电源电压对地电位................- 0.4V至4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态[ 6 ， 7 ， 8 ] ...................................... 。 - 0.4V至3.7V
直流输入电压[6 ，7，8 ] ....................................- 0.4V至3.7V
输出电流为输出（ LOW ） ............................ 20毫安
静电放电电压......................................... > 2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
M24L416256DA
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
工作范围
范围
EXTENDED
产业
环境温度（T
A
)
−25°C
至+ 85°C
−40°C
至+ 85°C
V
CC
2.7V至3.6V
2.7V至3.6V
直流电气特性（在工作范围内）
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
描述
电源电压
输出高
电压
输出低
电压
输入高
电压
输入低
电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
测试条件
分钟。
2.7
V
CC
– 0.4
0.4
0.8 * V
CC
F=0
GND
≤
V
IN
≤
VCC
GND
≤
V
OUT
≤
Vcc时，输出
残
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
自动CE1
掉电
目前-CMOS
输入
自动CE1
掉电
目前-CMOS
输入
V
CC
= 3.6V,
I
OUT
= 0 mA时，
CMOS电平
-0.4
-1
-1
14 -55
14 -60
08 -70
1所有速度
V
CC
+ 0.4
0.62
+1
+1
22 -55
22 -60
15 -70
5所有速度
-55, 60, 70
Typ.[2]
3.0
马克斯。
3.6
单位
V
V
V
V
V
µA
µA
I
OH
=
−0.1
mA
I
OL
- 0.1毫安
I
CC
mA
I
SB1
CE1
≥
V
CC
−
0.2V ， CE2
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
−
0.2V, V
IN
≤
0.2V ，女= F
最大
（地址和数据
只） ， F = 0 （ OE ，
WE
,
BHE
和
BLE
)
150
250
µA
I
SB2
CE1
≥
V
CC
−
0.2V ， CE2
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
−
0.2V或V
IN
≤
0.2V ， F = 0 ，V
CC
= 3.6V
17
40
µA
Capacitance[9]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
热电阻[10]
参数
描述
θ
JA
θ
JC
热阻（结到环境）
热阻（结到管壳）
测试条件
测试条件遵循标准测试
方法和程序，用于测量
热阻抗，按照EIA / JESD51 。
VFBGA
55
17
单位
° C / W
° C / W
注意事项：
6.V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.5V对脉冲持续时间小于20纳秒。
7.V
IL （ MIN ）
= -0.5V为脉冲持续时间小于20纳秒。
8.Overshoot和欠规范的特点，不是100 ％测试。
最初和以后设计或工艺变化，可能影响这些参数9.Tested 。
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2008年7月
修订： 1.5
4/15
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
