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M52D16161A-7.5TIG 参数 Datasheet PDF下载

M52D16161A-7.5TIG图片预览
型号: M52D16161A-7.5TIG
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内容描述: 512K X 16Bit的X 2Banks手机同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器手机
文件页数/大小: 32 页 / 888 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
AC特性
(交流工作条件,除非另有说明)
参数
CLK周期时间
CLK为有效
输出延迟
CAS延时= 3
CAS延时= 2
CAS延时= 3
CAS延时= 2
符号
t
CC
t
SAC
t
OH
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
t
SHZ
-6
6
10
-
-
2.5
2.5
2.5
2
1
1
-
-
最大
1000
5.5
9
-
-
-
-
-
-
5.5
9
7.5
12
-
-
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
-
-
-7.5
最大
1000
6
10
-
-
-
-
-
-
6
10
M52D16161A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
-10
10
15
-
-
2.5
3
3
3
1
1
-
-
最大
1000
9
12
-
-
-
-
-
-
9
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1
1, 4
2
3
3
3
3
2
-
输出数据保持时间
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CLK输出在
高阻
CAS延时= 3
CAS延时= 2
*所有AC参数测量的一半一半。
注意:
1.Parameters取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的, (文/ 2-0.5 )纳秒应该被添加到该参数。
3.Assumed输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
如果潮流& TF长于1ns的,短暂的时间补偿,应考虑,即, [ (文+ TF) / 2-1]纳秒应该被添加到
参数。
4. t
SAC
在CL = 3 -6速度级的无负载是5.5ns ,由设计保证。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2009年9月
调整
:
1.1
6/32