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M52D16161A-7.5TIG 参数 Datasheet PDF下载

M52D16161A-7.5TIG图片预览
型号: M52D16161A-7.5TIG
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内容描述: 512K X 16Bit的X 2Banks手机同步DRAM [512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器手机
文件页数/大小: 32 页 / 888 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
DC特性
(推荐的工作条件,除非另有说明,T
A
= -40
°C
~ 85
°C
)
参数
工作电流
(一银行活动)
预充电待机
目前在掉电
模式
预充电待机
目前在非
掉电模式
符号
测试条件
突发长度= 1
t
RC
t
RC
(分钟) ,T
CC
t
CC
(分钟) ,我
OL
= 0毫安
CKE
V
IL
(最大值),叔
CC
=15ns
CKE
V
IL
(最大)时,CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
CC
=15ns
输入信号时为30ns一次改变
I
CC2NS
I
CC3P
I
CC3PS
I
CC3N
CKE
V
IH
(分钟) , CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
输入信号是稳定的
CKE
V
IL
(最大值),叔
CC
=15ns
CKE
V
IL
(最大)时,CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
CC
=15ns
输入信号中2clks一次改变
所有其他引脚
V
DD
-0.2V或
0.2V
I
CC3NS
I
CC4
I
CC5
CKE
V
IH
(分钟) , CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=
输入信号是稳定的
I
OL
= 0 mA时,突发页
全波段激活,T
CCD
= t
CCD
(分钟)
t
RFC
t
RFC
(分钟)
TCSR范围
自刷新电流
I
CC6
2银行
CKE
0.2V
1银行
1/2银行
深度掉电
当前
I
CC7
CKE
0.2V
70
55
15
160
140
130
M52D16161A
工作温度条件-40
°
C~85
°
C
VERSION
-6
50
-7.5
45
0.18
0.15
5.5
-10
40
单位注
I
CC1
I
CC2P
I
CC2PS
I
CC2N
mA
mA
mA
mA
1
1
1.5
mA
mA
主动待机电流
在掉电模式
主动待机电流
在非掉电
模式
(一银行活动)
工作电流
(突发模式)
刷新当前
1
12
mA
mA
6
65
50
85
180
160
140
10
60
45
mA
mA
1
2
°C
uA
uA
注意:
1.Measured具有输出开路。地址吨过程中改变只有一次
CC
(最小值) 。
2.Refresh周期为32ms 。地址吨过程中改变只有一次
CC
(最小值) 。
晶豪科科技有限公司
出版日期
:
2009年9月
调整
:
1.1
4/32