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M52D32162A-7.5BG 参数 Datasheet PDF下载

M52D32162A-7.5BG图片预览

型号：	M52D32162A-7.5BG
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	1米x 16Bit的X 2Banks同步DRAM [1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM]
分类和应用：	动态存储器
文件页数/大小：	30 页 / 768 K
品牌：	ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]

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ESMT

扩展模式寄存器

BA

1

A11 A10

0

0

A9

ATCSR

A8

0

A7

0

A6

DS

A5

A4

A3

A2

A1

PASR

A0

地址总线

TCSR

M52D32162A

扩展模式寄存器

A2-0

000

001

010

011

100

101

110

111

自刷新覆盖

全阵列

全阵列的1/2

全阵列的1/4

俄罗斯足协

俄罗斯足协

俄罗斯足协

俄罗斯足协

俄罗斯足协

PASR

TCSR

A4-A3

11

00

01

10

最大外壳温度

85oC

70oC

45oC

15oC

DS

A6-A5

00

01

10

11

A9

0

1

驱动力

充满力量

1/2强

1/4强

俄罗斯足协

ATCSR

启用

R

ATCSR

真值表（深度掉电模式）

命令

深度掉电模式

条目

出口

CKEN - 1 CKEN CS

L

H

L

L

H

X

RAS

H

X

CAS

H

X

WE

L

DQM BA A10 / AP A9 〜 A0

X

X

X

X

（V =有效， X =无所谓，H =逻辑高电平， L =逻辑低）

晶豪科科技有限公司

出版日期

:

五月。 2007年

调整

:

1.4

9/30

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