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M52S128324A-10TG 参数 Datasheet PDF下载

M52S128324A-10TG图片预览
型号: M52S128324A-10TG
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内容描述: 1M ×32位×4银行同步DRAM [1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 47 页 / 750 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
模式寄存器字段表,程序模式
寄存器编程与MRS
地址
功能
BA0~BA1
俄罗斯足协
A11
俄罗斯足协
A10/AP
俄罗斯足协
A9
W.B.L
A8
TM
A7
A6
A5
M52S128324A
A4
A3
BT
A2
A1
A0
CAS延迟
突发长度
测试模式
A8
0
0
1
1
A7
0
1
0
1
TYPE
模式寄存器设置
版权所有
版权所有
版权所有
A6
0
0
0
0
1
1
1
1
CAS延迟
A5
0
0
1
1
0
0
1
1
A4
0
1
0
1
0
1
0
1
潜伏期
版权所有
1
2
3
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
突发类型
A3
0
1
TYPE
顺序
交错
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
突发长度
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
BT = 0
1
2
4
8
BT = 1
1
2
4
8
写突发长度
A9
0
1
BURST
单位
保留保留
保留保留
保留保留
全页版权所有
全页长: 256
注意:
1. RFU (保留供将来使用)应保持为“0”时MRS循环。
2.如果A9是在MRS周期高, “突发读取单个位写”功能将被启用。
3.全列突发(256比特)是仅在脉冲串类型的顺序模式。
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年3月
修订: 1.4
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