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    M52S128324A-10TG 参数 Datasheet PDF下载

    M52S128324A-10TG图片预览
    型号： M52S128324A-10TG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1M ×32位×4银行同步DRAM [1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 47 页 / 750 K
    品牌： ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
     浏览型号M52S128324A-10TG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M52S128324A-10TG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M52S128324A-10TG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M52S128324A-10TG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M52S128324A-10TG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号M52S128324A-10TG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号M52S128324A-10TG的Datasheet PDF文件第9页浏览型号M52S128324A-10TG的Datasheet PDF文件第10页  
    ESMT
    AC运行试验条件
    (V
    DD
    = 2.5V
    ±
    0.2V
    ，
    T
    A
    = 0 〜70℃ ）
    参数
    输入电平（ VIH / VIL）
    输入定时测量参考电平
    输入上升和下降时间
    输出定时测量参考电平
    输出负载条件
    价值
    0.9XV
    DDQ
    / 0.2
    0.5xV
    DDQ
    TR / TF = 1/1
    0.5xV
    DDQ
    SEE图。 2
    M52S128324A
    单位
    V
    V
    ns
    V
    V
    DDQ
    500
    Ω
    产量
    500
    Ω
    30pF
    V
    OH
    （DC ）= 2.4V时，我
    OH
    = -2毫安
    V
    OL
    （ DC ）= 0.4V时，我
    OL
    = 2毫安
    产量
    Z0 =50
    Ω
    VTT = 0.5xV
    DDQ
    50
    Ω
    30pF
    （图1 ）直流输出负载电路
    （图2 ） AC输出负载电路
    经营AC参数
    （交流工作条件，除非另有说明）
    VERSION
    参数
    行有效至行主动延迟
    RAS到CAS延迟
    行预充电时间
    行活动时间
    行周期时间
    @工作
    @自动刷新
    最终数据以山坳。地址的延迟
    在过去的数据来行预充电
    在最后的数据以突发停止
    符号
    -7
    t
    RRD （分钟）
    t
    RCD （分钟）
    t
    RP （分钟）
    t
    RAS （分钟）
    t
    RAS
    （最大）
    t
    RC （分钟）
    t
    RFC （分钟）
    t
    CDL （分钟）
    t
    RDL （分钟）
    t
    BDL （分钟）
    70
    70
    1
    2
    1
    14
    18
    20
    42
    100
    80
    80
    CLK
    CLK
    CLK
    2
    2
    2
    -10
    20
    30
    30
    50
    ns
    ns
    ns
    ns
    us
    ns
    1
    1
    1
    1
    1
    单位
    记
    晶豪科科技有限公司
    出版日期： 2009年3月
    修订： 1.4
    6/47

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