ESMT
AC运行试验条件
(V
DD
=2.5V
±
0.2V ，T
A
= 0 °C ~ 70 °C )
参数
输入电平（ VIH / VIL）
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
0.9× V
DDQ
/ 0.2
0.5× V
DDQ
潮流/ TF = 1/1的
0.5× V
DDQ
见图2
M52S64322A
单位
V
V
ns
V
经营AC参数
（交流工作条件，除非另有说明）
参数
行有效至行主动延迟
RAS到CAS延迟
行预充电时间
行活动时间
@工作
@自动刷新
最后的数据到新的关口。地址的延迟
在过去的数据来行预充电
在最后的数据以突发停止
上校地址上校地址的延迟
模式寄存器命令来激活或刷新
命令
刷新周期（ 4K周期）
有效输出数
数据
符号
-7.5
t
RRD
（分钟）
t
RCD
（分钟）
t
RP
（分钟）
t
RAS
（分钟）
t
RAS
（最大）
行周期时间
t
RC
（分钟）
t
RFC
（分钟）
t
CDL
（分钟）
t
RDL
（分钟）
t
BDL
（分钟）
t
CCD
（分钟）
t
MRD
（分钟）
t
REF
（最大）
CAS延时= 3
CAS延时= 2
75
75
1
2
1
1
2
64
2
1
15
20
20
45
100
100
100
VERSION
-10
20
30
30
50
ns
ns
ns
ns
us
ns
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
ms
ea
1
1
1
1
-
1
1,5
2
2
2
3
-
6
4
单位
记
注意：
1.时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期时间和所需要的最小时间来确定
然后四舍五入到下一个较大整数。
2.最小的延迟才能完成写操作。
3.所有部件，使每一个周期的列地址的变化。
4.如遇行预充电中断，自动预充电和读取突发停止。
最早的一个预充电命令可以读出指令后没有数据的丢失被发出是CL + BL-2时钟
5.新的命令，可给予吨
RFC
后自刷新退出。
6，最多八个连续自动刷新命令（与T
RFCMIN
）可以发布到任何给定的SDRAM和
任何自动刷新命令和下一个自动刷新命令之间的最大间隔时间绝对是
8x15.6μs.)
晶豪科科技有限公司
出版日期： 2009年8月
修订： 1.3
5/47
ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
