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M52S64322A-7.5BG 参数 Datasheet PDF下载

M52S64322A-7.5BG图片预览
型号: M52S64322A-7.5BG
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内容描述: 512K ×32位×4手机银行同步DRAM [512K x 32 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器手机
文件页数/大小: 47 页 / 1234 K
品牌: ESMT [ ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. ]
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ESMT
扩展模式寄存器设置( EMRS )
M52S64322A
扩展模式寄存器存储选择PASR ; TCSR ; DS 。扩展模式寄存器设置必须在任何做
上电序列之后激活的命令。扩展模式寄存器写的是主张低CS , RAS , CAS ,
WE
高上BA1 ,低BA0 ( SDRAM的应该是所有银行预充电与CKE已经写入了前高
扩展更多的寄存器) 。地址引脚A0 〜一个在同一周期为CS, RAS,CAS的状态,
WE
外出时低写入
扩展模式寄存器。请参阅下表为具体的代码。
扩展模式寄存器可以作为操作过程中使用相同的命令和时钟周期的要求而改变
只要所有银行都处于闲置状态。默认值为扩展模式寄存器定义为半开车力量和所有银行
刷新。
BA1 BA0 A10 A9
1
0
0
0
A8
0
A7
0
A6 A5
DS
A4 A3
X
X
A2
A1
A0地址总线
PASR
扩展模式寄存器设置
A2-A0
000
001
PASR
010
011
100
101
111
X =无关
自刷新覆盖
4Bank
2银行( BankA& BankB )或
(BA1=0)
1银行(班卡)或
(BA0=BA1=0)
R
R
1/2银行(班卡)或
A10=BA0=BA1=0
R
内部TCSR
DS
A6-A5
00
01
10
11
驱动力
充满力量
1/2强
1/4强
R
备注R:保留
晶豪科科技有限公司
出版日期: 2009年8月
修订: 1.3
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