BC856BDW1T1 ， BC857BDW1T1 ， BC857CDW1T1 ， BC858BDW1T1 ， BC858CDW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
V
民
典型值
最大
单位
V
–65
–45
–30
V
（ BR ） CES
–80
–50
–30
V
（ BR ） CBO
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -10毫安）
BC856系列
BC857系列
BC858系列
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= –10
µA,
V
EB
= 0)
BC856系列
BC857系列
BC858系列
（ BR ） CEO
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V
—
—
—
V
—
—
—
V
—
—
—
–15
–4.0
nA
µA
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= –10
µA)
BC856系列
BC857系列
BC858系列
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= –1.0
µA)
BC856系列
BC857系列
收藏家Cuto FF电流
BC858系列
(V
CB
= –30 V)
(V
CB
= -30 V，T
A
= 150°C)
–80
–50
–30
V
（ BR ） EBO
–5.0
–5.0
I
CBO
–5.0
—
—
基本特征
直流电流增益
(I
C
= –10
µA,
V
CE
= –5.0 V)
h
FE
BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C ， BC858C
—
—
220
420
—
—
—
—
–0.6
—
150
270
290
520
—
—
–0.7
–0.9
––
—
—
—
475
800
–0.3
–0.65
—
—
–0.75
–0.82
V
V
V
—
(I
C
= -2.0毫安，V
CE
= - 5.0 V ） BC856B ， BC857B ， BC858B
BC857C ， BC858C
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
( I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基射极饱和电压（I
C
= -10毫安，我
B
= -0.5毫安）V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
(I
C
= -100毫安，我
B
= -5.0毫安）
基射极电压（I
C
= -2.0毫安，V
CE
= –5.0 V)
基射极电压
(I
C
= -10毫安，V
CE
= –5.0 V)
V
BE（上）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= -10毫安，V
CE
= -5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= -10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数（I
C
= -0.2毫安，
V
CE
= –5.0 V
dc
, R
S
= 2.0千欧， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
f
T
C
敖包
NF
100
—
—
—
—
—
—
4.5
10
兆赫
pF
dB
BC856b–2/5
ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
