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BC857CDW1T1 参数 Datasheet PDF下载

BC857CDW1T1图片预览
型号: BC857CDW1T1
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内容描述: 双路通用晶体管 [Dual General Purpose Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 5 页 / 469 K
品牌: ETL [ E-TECH ELECTRONICS LTD ]
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BC856BDW1T1 , BC857BDW1T1 , BC857CDW1T1
BC858BDW1T1 , BC858CDW1T1
PNP典型特征 - BC856
h
FE
,直流电流增益(标准化)
-1.0
-0.8
2.0
V,电压(V )
-0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10
-20
-50 -100 -200
-0.6
1.0
0.5
-0.4
-0.2
0.2
0
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
-200
I
C
,集电极电流( AMP )
I
C
,集电极电流(毫安)
图1.直流电流增益
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图2. “开”电压
θ
VB
,温度系数(毫伏/ ° C)
-2.0
-1.0
-1.6
-1.4
-1.2
-1.8
-0.8
-2.2
-0.4
-2.6
0
-0.02
-0.05
-0.1
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-3.0
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
-200
I
B
,基极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图3.集电极饱和区
40
图4.基射极温度系数
f
T
,电流增益带宽积(兆赫)
500
C,电容(pF )
20
200
10
0.8
6.0
100
50
4.0
20
2.0
-0.1 -0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
-1.0
-10
-100
V
R
,反向电压(伏)
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.电容
图6.电流增益 - 带宽积
BC856b–3/5