EM565168BC-55/55G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM565168BC-55/55G
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内容描述：	512K ×16的SRAM伪 [512K x 16 Pseudo SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	12 页 / 122 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

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EtronTech

DC特性

符号

ILI

参数

输入漏

当前

输出漏

当前

测试条件

VIN = VSS至VDD

VIO = VSS至VDD

CE1 ＃ = VIH ， CE2 = VIL或

OE ＃ = VIH或WE ＃ = VIL

工作电流@

最小周期时间

周期时间=最小， 100 ％

责任， IIO = 0毫安， CE1 ＃ =

VIL ， CE2 = VIH ， VIN =

VIH或VIL

周期时间= 1μs的时间， 100 ％占空比

ICC2

工作电流@

最大周期时间

(1µs)

IIO = 0毫安， CE1 ＃

≤

0.2V,

CE2

≥

VDD -0.2V ， VIN

≤

0.2V

或VIN

≥

VDD -0.2V

CE1 ＃ = VDD - 0.2V和

CE2 = VDD - 0.2V ，

其他输入= VSS 〜 VCC

ISBD

VOL

VOH

深度掉电

输出低电压

输出高电压

CE2

≤

0.2V ，其他输入=

VSS VCC 〜

IOL = 2.1毫安

IOH = -1.0mA

−

2.4

−

55ns

−

70ns

分钟。

-1

EM565168

马克斯。

单位

µA

国际劳工组织

-1

µA

ICC1

ISB1

待机电流

（ CMOS）的

100

µA

0.4

−

µA

电容（钽= 25°C ; F = 1兆赫）

参数

输入电容

输出电容

符号

CIN

COUT

民

−

典型值

−

最大

单位

测试条件

VIN = GND

VOUT = GND

注意事项：

这些参数进行采样，而不是100 ％测试。

1.0版

2003年9月

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