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EM565168BC-55/55G 参数 Datasheet PDF下载

EM565168BC-55/55G图片预览
型号: EM565168BC-55/55G
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内容描述: 512K ×16的SRAM伪 [512K x 16 Pseudo SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 122 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
符号
参数
读周期
TRC
TAA
tCO1
tCO2
TOE
TBA
TLZ
TOLZ
tBLZ
太赫兹
tOHZ
tBHZ
TOH
TWC
TWP
TAW
TCW
TBW
TAS
tWR的
tWHZ
拖车
TDW
TDH
读周期时间
地址访问时间
芯片使能( CE1 # )访问时间
芯片使能( CE2 )访问时间
输出启用访问时间
数据字节的控制访问时间
芯片使能低-Z低到输出
输出使能低-Z低到输出
数据字节控制低到输出低-Z
芯片使能高到输出的高阻
输出使能高到输出的高阻
数据字节控制高到输出的高阻
输出数据保持时间
写周期
写周期时间
把脉冲宽度
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
数据字节的控制来写结束
地址设置TTIME
写恢复时间
WE#低到输出的高阻
WE#高到输出中低Z
写入数据重叠
数据保持时间
55
45
45
45
45
0
0
5
30
0
20
70
50
60
60
60
0
0
5
30
0
55
10
5
10
10
55
55
55
25
55
20
20
20
70
10
5
10
10
-55
最大
EM565168
交流特性和工作条件(大= -25 ° C至85°C , VCC = 2.7V至3.3V )
-70
最大
单位
70
70
70
35
70
25
25
25
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC测试条件
输出负载: 50pF的+ 1 TTL门
输入脉冲电平: 0.4V , 2.4
定时测量: 0.5× VCC
TR , TF:为5ns
5
1.0版
2003年9月