EM584161BA-70E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM584161BA-70E
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内容描述：	256K ×16低功耗SRAM [256K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	13 页 / 250 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

EtronTech

经营模式

模式

CE1#

CE2

OE ＃

WE＃

磅＃

读

写

输出取消

待机

高-Z

UB ＃

高-Z

DQ0~DQ7

DOUT

高-Z

DOUT

DIN

高-Z

DIN

DQ8~DQ15

DOUT

高-Z

DIN

高-Z

EM584161

注： X =不在乎。 H =逻辑高电平。 L =逻辑低。

绝对最大额定值

电源电压（VDD）

输入电压VIN

输入和输出电压， VI / O

工作温度， TOPR

储存温度， TSTRG

焊接温度（ 10秒）， TSOLDER

功耗PD

-0.5至+ 2.5V

-0.5〜 VDD

+0.5V

-40至+ 85°C

-65到+ 150°C

240°C

0.6 W

DC推荐工作条件（ TA = -40 ° C至85°C ）

符号

VDD

VIH

VIL

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

分钟。

1.65

1.4

- 0.2

(2)

典型值。

1.8

−

马克斯。

1.95

VDD+0.2

0.4

1.95

(1)

单位

VDR

数据保持电源电压

注意：

（ 1 ）过冲： 2.7V ，如果脉冲宽度

≤

20ns

（2）下冲： -1.0V ，如果脉冲宽度

≤

20ns

0.9

修订版2.0

2003年11月

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