EM584161BA-70E 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EM584161BA-70E
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内容描述：	256K ×16低功耗SRAM [256K x 16 Low Power SRAM]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	13 页 / 250 K
品牌：	ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]

EtronTech

DC特性（Ta = -40 ° C至85°C ， VDD = 1.65V至1.95V ）

符号

参数

工作电流@敏

周期

工作电流最大@

周期时间（为1μs ）

测试条件

CE1 ＃ = VIL和

CE2 = VIH和

IOUT = 0毫安

其他输入= VIH /

VIL

CE1#

≥

VDD -0.2V ，或

CE2

≤

0.2V ，其他

输入

≤

0.2V或

≥

VDD -0.2V

IOH = -100

µA

IOL = 100

µA

分钟。

典型值。

EM584161

马克斯。

单位

IDD1

−

IDD2

ISB

待机电流

−

µA

VOH

VOL

注意事项：

输出高电压

输出低电压

VDD }

0.2V

−

0.3

*典型值是在T测

= 25°C.

**在待机模式下， CE1 ＃

≥

VDD - 0.2V ，这些限制可以放心的条件

CE2

≥

- 0.2V或CE2

≤

0.2V.

电容（钽= 25°C ; F = 1兆赫）

参数

输入电容

输出电容

符号

CIN

民

−

典型值

−

最大

单位

测试条件

VIN = GND

COUT

VOUT = GND

−

注意事项：

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

修订版2.0

2003年11月

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