EtronTech
T0
CLK
T1
T2
DQM
1M ×16 SDRAM
T3
T4
T5
T6
EM636165
T7
T8
1间隔的Clk
COM命令
NOP
NOP
班卡
激活
NOP
读了
写一个
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
DIN A0
必须是高阻前
写命令
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
DIN A1
DIN A2
DIN A3
： "H"或"L"
读取写入间隔
（突发长度
≥
如图4所示， CAS＃延迟= 1 ，2）
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CLK
DQM
COM命令
NOP
NOP
读了
NOP
NOP
写B
NOP
NOP
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
DOUT A0
DIN B0
DIN B 1
DIN B2
DIN B3
必须是高阻前
写命令
DIN B0
DIN B 1
DIN B2
DIN B3
： "H"或"L"
读取写入间隔
（突发长度
≥
如图4所示， CAS＃延迟= 1 ，2）
爆没有自动预充电功能的读取可以通过BankPrecharge /中断
PrechargeAll命令相同的银行。下图显示的最佳时间
BankPrecharge / PrechargeAll命令在不同的CAS ＃延迟发出。
T0
CLK
银行，
柱A
银行，
ROW
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
地址
BANK （S ）
t
RP
COMM和
读了
NOP
NOP
NOP
预充电
NOP
NOP
激活
NOP
CAS ＃延迟= 1
TCK1 ， DQ的
CAS ＃延迟= 2
TCK2 ， DQ的
CAS＃延迟= 3
tCK3 ， DQ的
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
DOUT A0
DOUT A1
DOUT A2
DOUT A3
阅读到预充电
（ CAS＃延迟= 1，2， 3）
初步
9
第2.7版2006年3月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
