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    EM636165TS/VE-10 参数 Datasheet PDF下载

    EM636165TS/VE-10图片预览
    型号： EM636165TS/VE-10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1Mega ×16同步DRAM （SDRAM）的 [1Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM)]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 75 页 / 789 K
    品牌： ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
     浏览型号EM636165TS/VE-10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号EM636165TS/VE-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EM636165TS/VE-10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EM636165TS/VE-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EM636165TS/VE-10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EM636165TS/VE-10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号EM636165TS/VE-10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号EM636165TS/VE-10的Datasheet PDF文件第9页  
    EtronTech
    LDQM ，
    UDQM
    输入
    1M ×16 SDRAM
    EM636165
    数据输入/输出面膜：
    LDQM和UDQM是特定字节，非持久
    I / O缓冲区的控制。在I / O缓冲器置于高阻抗状态时
    LDQM / UDQM采样为高电平。当LDQM / UDQM是输入数据被屏蔽
    在写周期采样为高。输出数据被掩码（ 2时钟延迟）
    当LDQM / UDQM是在一个读周期采样为高。 UDQM口罩DQ15-
    DQ8和LDQM口罩DQ7 - DQ0 。
    DQ0 - DQ15输入/输出
    数据I / O ：
    该DQ0-15的输入和输出数据与正同步
    CLK的边缘。在I / O是字节屏蔽期间读取和写入。
    NC
    V
    DDQ
    -
    供应
    无连接：
    这些引脚悬空。
    DQ功率：
    提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。
    ( 3.3V
    ±
    0.3V )
    V
    SSQ
    供应
    DQ地：
    提供隔离地面的DQ为提高抗干扰能力。
    (0V)
    V
    DD
    V
    SS
    供应
    供应
    电源：
    +3.3V
    ±
    0.3V
    地
    初步
    5
    第2.7版2006年3月

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