EtronTech
参数&测试条件
8Mx16 DDR SDRAM
EM6A9160
5
建议的直流工作条件（V
DD
= 2.5V
±
5 ％以下，Ta = 0〜70
°C)
符号
3.3 3.6 4
最大
单位注
工作电流：
一家银行;主动预充电;
t
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ; DQ ， DM和DQS输入
每个时钟周期改变一次;地址和控制
输入改变每隔2个时钟周期。
工作电流：
一家银行;主动 - 读 -
预充电; BL = 4; CL = 4; tRCDRD = 4 * T
CK
; t
RC
=t
RC
（分钟） ;
t
CK
=t
CK
（分钟） ;糊涂人= 0毫安;地址和控制输入
每个时钟周期改变一次
预充电掉电待机电流：
所有银行闲置;掉电模式;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
CKE =低
IDLE STANDLY CURRENT ：
CKE =高;
CS ＃ = HIGH （取消选择） ;所有银行闲置;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
地址和控制输入每个时钟改变一次
周期; V
IN
=V
REF
针对DQ ， DQS和DM
ACTIVE POWER- DOWN待机电流：
一
银行主动;掉电模式; CKE =低;
t
CK
=t
CK
（分钟）
主动待机电流：
CS ＃ =高; CKE =高;一家银行主动;
t
RC
=t
RC
（最大值） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ，地址和控制输入
每个时钟周期改变一次; DQ ， DQS ，和DM输入
每个时钟周期的两倍变化
工作电流突发读：
BL = 2;上面写到
可连拍;一家银行主动;地址和控制
输入每个时钟周期改变一次;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;
糊涂人= 0毫安; 50％的数据变化对每一个转移
工作电流突发写：
BL=2;
写操作;可连拍;一家银行主动;地址
和控制输入变化的每时钟周期一次;
t
CK
=t
CK
（分钟） ; DQ ， DQS和DM两次改变每个时钟
周期;数据的变化对每一个转移的50 ％
自动刷新电流：
t
RC
=t
RFC
（分钟） ;
t
CK
=t
CK
（分钟）
自刷新电流：
卖刷新模式;
CKE<=0.2V;t
CK
=t
CK
（分钟）
BURST工作电流4银行操作：
四大行交错读和写; BL = 4 ;具有自动
预充电;吨
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;地址
只有在主动，读取或写入控制inputschang
命令
IDD0
200 180 160 140毫安
IDD1
220 200 180 160毫安
IDD2P
50
45
40
35毫安
IDD2N
110 100
90
80毫安
IDD3P
50
45
40
35毫安
IDD3N
120 110 100
90毫安
IDD4R
340 310 280 250毫安
IDD4W
280 260 240 220毫安
IDD5
IDD6
270 250 230 210毫安
2
2
2
2
mA
IDD7
440 400 360 330毫安
12
修订版1.4
2006年5月
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
