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EM6A9160TS-3.3 参数 Datasheet PDF下载

EM6A9160TS-3.3图片预览
型号: EM6A9160TS-3.3
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内容描述: 8M ×16的DDR同步DRAM (SDRAM)的 [8M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 29 页 / 275 K
品牌: ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
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EtronTech
8Mx16 DDR SDRAM
EM6A9160
扩展模式寄存器设置( EMRS )
扩展模式寄存器设置存储数据用于启用或禁用的DLL ,并选择输出驱动
强度。扩展模式寄存器的缺省值是未定义的,因此必须被写入功率后
了正常运行。扩展模式寄存器写的是主张低CS # , RAS # , CAS #和
WE# 。 A0的状态, A2 〜 A5 , A7 〜 A11and BS1被写入模式寄存器在同一周期为CS # ,
RAS # , CAS #和WE#变低。在DDR SDRAM应在所有银行预充电与CKE已经很高了
先于写入到扩展模式寄存器。 A1和A6用于驱动强度设置为正常,弱
或匹配阻抗。两个时钟周期需要完成在扩展模式下的写操作
注册。模式寄存器中的内容可以使用相同的命令和时钟周期的要求而改变
操作过程中,只要所有银行都处于空闲状态。 A0是用于DLL使能或禁用。 "High"上BS0
用于EMRS 。请参阅下表为具体的代码。
扩展模式电阻位图
BS1
0
BS0
1
A11
A10
A9
A8
RFU必须设置为“0”的
A7
A6
DS1
A5
A4
A3
A2
RFU必须设置为“0”的
A1
DS0
A0
DLL
BS0模式
0
太太
1 EMRS
A6
0
0
1
1
A1
驱动强度
实力
评论
0
100%
1
SSTL - 2弱
60%
0
俄罗斯足协
RFU保留供未来
1匹配阻抗30 %
输出驱动器阻抗相匹配
A0
DLL
0
启用
1禁用
9
修订版1.4
2006年5月