EtronTech
V
SS
供应
4Mx32 DDR SDRAM
EM6A9320
地面：
地
为输入缓冲器和核心逻辑
.
供应
DQ功率：
提供隔离电源的DQ为提高抗干扰能力。
V
DDQ
供应
DQ地：
提供隔离地面的DQ为提高抗干扰能力。
V
SSQ
供应
参考电压输入：
0.5 x垂直
DDQ
V
REF
NC
-
无连接：
这些引脚悬空。
注意：对于该差分时钟的定时基准点的CK和CK ＃的交叉点。对于任何
使用单端时钟应用，适用于V
REF
以CK ＃引脚。
操作模式
完全同步操作执行到锁存命令在CK的上升沿。表2
示出了用于该操作的命令的真值表。
表2.真值表（注（1 ），（ 2））的
命令
BankActivate
BankPrecharge
PrechargeAll
写
写和AutoPrecharge
读
阅读和AutoPrecharge
模式寄存器设置
扩展模式寄存器设置
无操作
设备取消
突发停止
自动刷新
SelfRefresh入口
SelfRefresh退出
状态
CKEN - 1 CKEN DM BA1 BA0
空闲
(3)
H
X
X
V
V
任何
H
X
X
V
V
任何
H
X
X
X
X
活跃
(3)
H
X
V
V
V
H
X
V
V
V
活跃
(3)
活跃
(3)
H
X
X
V
V
活跃
(3)
H
X
X
V
V
空闲
H
X
X
L
L
空闲
H
X
X
L
H
任何
H
X
X
X
X
任何
H
X
X
X
X
活跃
(4)
H
X
X
X
X
空闲
H
H
X
X
X
空闲
H
L
X
X
X
空闲
L
H
X
X
X
（自刷新）
H
L
X
X
X
A8 A11 -A9 ， A7-0 CS ＃ RAS ＃ CAS ＃ WE＃
行地址
L
L
H
H
L
X
L
L
H
L
H
X
L
L
H
L
L
L
H
L
L
COLUMN
H
L
H
L
L
地址
L
L
H
L
H
A0~A7
H
L
H
L
H
L
L
L
L
操作码
L
L
L
L
X
X
L
H
H
H
X
X
H
X
X
X
X
X
L
H
H
L
X
X
L
L
L
H
X
X
L
L
L
H
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
掉电模式进入待机/激活
(5)
掉电模式退出
任何
L
H
X
X
X
（断电）
活跃
H
X
L
X
X
数据写入/输出
启用
活跃
H
X
H
X
X
数据面膜/输出
关闭
注意：
1， V =有效数据，X =无关， L =低电平， H =高电平
2. CKE
n
信号提供命令时，输入电平。
CKE
n-1
信号被输入一个级别时钟周期中提供的命令之前。
3.这些是由BA0 ， BA1signals指定银行的状态。
4.阅读突发停止与所有类型的突发BST命令。
5.掉电模式不能在突发操作输入。
当这个命令是断言，在突发周期，设备状态时钟挂起模式。
5
修订版0.6
五月。 2006年
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
