EtronTech
模式寄存器设置（ MRS）
4Mx32 DDR SDRAM
EM6A9320
模式寄存器分为取决于功能性的各种领域。
突发长度字段（ A2 ， A1 ， A0 ）
•
此字段指定的列存取的数据长度，并且选择突发长度。
寻址模式选择场（ A3 ）
•
寻址模式可以交错模式或连续模式。这两个连续模式和
2 ， 4和8全页突发长度交错模式支持突发长度仅适用于连续模式。
CAS ＃延迟场（ A6 ， A5 ， A4）
•
该字段指定从读命令到所述第一断言时钟周期的数目
读取数据。对CAS＃延迟的最小整数值取决于CK的频率。该
最小全价值满足下列公式必须编入这一领域。
CAS＃延迟x深
CK
t
CAC
（分钟）
测试模式字段： A7 ; DLL复位模式领域： A8
•
这两位必须在正常操作进行编程，以"00" 。
（ BA0 ， BA1 ）
•
模式电阻位图
BA1
0
BA0
A11
A10
A9
模式RFU必须设置为“0”的
BA0
0
1
注册模式
太太
EMRS
A8
DLL
A8
0
1
0
A7
TM
A7
0
0
1
A6
A5
A4
CAS延迟
A3
BT
A3
0
1
A2
A1
A0
突发lenght
A6
0
0
1
1
A5
1
1
0
0
A4
CAS延迟
0
版权所有
1
3个时钟
0
4个时钟周期
1
5个时钟周期
所有其他保留
突发定义，连续和交错模式寻址过程
突发长度
2
4
起始地址
A2
A1
A0
X
X
0
X
X
1
X
0
0
X
0
1
X
1
0
X
1
1
0
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
顺序
0, 1
1, 0
0, 1, 2, 3
1, 2, 3, 0
2, 3, 0, 1
3, 0, 1, 2
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 0
2, 3, 4, 5, 6, 7, 0, 1
3, 4, 5, 6, 7, 0, 1, 2
4, 5, 6, 7, 0, 1, 2, 3
5, 6, 7, 0, 1, 2, 3, 4
6, 7, 0, 1, 2, 3, 4, 5
7, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6
交错
0, 1
1, 0
0, 1, 2, 3
1, 0, 3, 2
2, 3, 0, 1
3, 2, 1, 0
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
1, 0, 3, 2, 5, 4, 7, 6
2, 3, 0, 1, 6, 7, 4, 5
3, 2, 1, 0, 7, 6, 5, 4
4, 5, 6, 7, 0, 1, 2, 3
5, 4, 7, 6, 1, 0, 3, 2
6, 7, 4, 5, 2, 3, 0, 1
7, 6, 5, 4, 3, 2, 1, 0
8
≦
模式
正常
复位DLL
测试模式
TYPE
顺序
交错
A2
0
0
0
1
A1
0
1
1
1
A0
突发长度
1
2
0
4
1
8
1
全页（顺序）
所有其他保留
6
修订版0.6
五月。 2006年
ETRON [ ETRON TECHNOLOGY, INC. ]
