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FSU02LG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FSU02LG
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内容描述: 通用砷化镓场效应管 [General Purpose GaAs FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 105 K
品牌: EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
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FSU02LG
通用砷化镓场效应管
相关的增益与漏源电流
VDS = 3V
F = 2.0 GHz的
18.5
相关的增益(分贝)
1.8
噪声系数(dB )
18
17.5
17
16.5
16
20
40
60
80
漏源电流(mA )
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
20
40
60
80
漏源电流(mA )
噪声系数与漏源电流
1.9
VDS = 3V
F = 2.0 GHz的
输出功率& IM3随输入功率
功率降额曲线
800
单音
2-Tone
-10
总功率耗散( mW)的
VDS = 6V
23
F = 2 GHz的
21
∆f
= 1兆赫
19
I
DS = 80毫安
总输出功率(dBm )
17
15
13
11
9
7
5
3
1
-1
-3
-5
-13
IM3
600
-20
400
-30
IM3 ( DBC)
200
-40
0
-50
50
100
150
200
外壳温度( ° C)
-10
-7
-4
-1
2
5
8
-60
总输入功率(dBm )
2