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型号: KP022J
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内容描述: 250mW的功率砷化镓场效应管(无铅型) [250mW GaAs Power FET (Pb-Free Type)]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 841 K
品牌: EUDYNA [ EUDYNA DEVICES INC ]
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P0120002P
250mW的功率砷化镓场效应管(无铅型)
● NF
特征
Ids=100mA
1.0
0.8
技术说明
住友电工
Ids=80mA
1.0
0.8
Ids=60mA
0.6
0.6
0.6
0 .8
1.0
2.0
2.0
2.0
3.0
4.0
5.0
3.0
4.0
5.0
3.0
4.0
5.0
10.0
10.0
0.4
0.6
0.2
0.8
2.0
0.2
0.8
2.0
3.0
0.4
0.6
1.0
3.0
0.4
0.6
4.0
5.0
1.0
4.0
5.0
0
0
0
1.0
4.0
5.0
10.0
-1
-1 0.0
0.2
0.8
2.0
.4
-0
.4
-0
.4
-0
.0
.0
-2
-2
-0 .
6
- 0.6
-0 .
6
-0.8
-0.8
-0 .8
[注意事项]
为史密斯圆图的数据,测定在2GHz和25℃的Tc频率。
Vds=6V
频率。
(千兆赫)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
NFmin
( dB)的
0.54
0.47
0.73
0.78
0.93
0.96
1.03
1.13
1.60
Γopt
M股份公司
昂(度)
0.67
-94.6
0.64
-59.3
0.51
-29.0
0.52
9.7
0.48
44.0
0.52
77.5
0.52
108.6
0.53
138.0
0.39
170.7
Rn/50
0.16
0.24
0.30
0.35
0.29
0.25
0.18
0.10
0.10
Vds=6V
频率。
(千兆赫)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
NFmin
( dB)的
0.51
0.44
0.67
0.71
0.87
0.89
0.96
1.07
1.48
Γopt
M股份公司
昂(度)
0.7
-96.60
0.6
-61.70
0.5
-32.00
0.5
7.60
0.5
40.50
0.5
74.20
0.5
105.70
0.5
134.70
0.4
167.40
Rn/50
0.14
0.21
0.27
0.33
0.29
0.23
0.17
0.10
0.10
Ids=100mA
相关
增益( dB)的
23.9
22.4
20.5
19.9
18.9
18.3
17.6
17.1
16.2
Ids=80mA
相关
增益( dB)的
23.5
22.1
20.2
19.7
18.6
18.0
17.4
16.8
15.9
Vds=6V
频率。 NFmin
(千兆赫) ( dB)的
0.4
0.49
0.6
0.41
0.8
0.61
1.0
0.66
1.2
0.82
1.4
0.83
1.6
0.90
1.8
1.00
2.0
1.40
Γopt
M股份公司
昂(度)
0.66
-98.1
0.62
-64.3
0.51
-34.7
0.50
3.7
0.45
36.6
0.49
70.5
0.49
101.8
0.50
130.9
0.35
163.0
Rn/50
0.12
0.18
0.23
0.28
0.23
0.22
0.15
0.10
0.10
Ids=60mA
相关
增益( dB)的
23.2
21.7
19.9
19.3
18.3
17.7
17.1
16.5
15.6
-1.0
2.0
1.8
1.6
1.4
NF( dB)的
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
0.5
1.0
1.5
频率(GHz )
2.0
2.5
-1.0
-1.0
-2
.0
Ids=100mA
Ids=80mA
Ids=60mA
规格和信息如有变更,恕不另行通知。
2003-11
住友电气工业株式会社1 ,塔亚町,荣区, 244-8588日本
电话: + 81-45-853-7263传真: + 81-45-853-1291
电子信箱:
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
网站:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
-6-
- 4 .0
-5.0
5
-
-3.
0
0
-4.
.0
- 5.0
5
-
-3
.0
0
- 4.0
-5.0
-0 .2
2.10
-3 .
0
- 0.2
1.98
-0.2
1.90
3.0
1.60
10.0
1.48
10.0
0.
4
0
0 .2
-1
- 10.0
0..
4
0.2
- 10.0
0.
4
0.2
1.40
10 .0