P0120002P
250mW的功率砷化镓场效应管（无铅型）
Caution ：
电源时序
为了安全运行，电力应提供
以下序列。首先，负电压应
施加在所述栅极和所述电压应该更负
比夹断电压，当你打开电源
供应量。然后，漏极偏压可以应用。最后，你可以把
上的RF信号。
当关闭电源时，顺序应
（ 1 ）射频信号（ 2 ）漏（ 3 ）门。
+6V
技术说明
住友电工
R1
R3
VDS
Q1a
Q1b
R4
门
电压
漏
电压
0V
On
偏压
关闭
R2
R5
VGS
GND
P0110002P
应用
电路
0V
偏压
On
1ms以上
关闭
1ms以上
GND
-5V
-Bias
电路
[被动偏置]
如果你使用一个固定偏置电路，你有时需要控制
栅极偏压以获得相同的ID ，由于该设备具有一些
夹断电压的余量（VP）的变化取决于
晶圆批次。如果采用固定栅极电压偏置为您
系统，你应密切监测漏极电流，
特别是当新的晶圆批次进行了介绍。
[有源偏置]
我们推荐使用有源偏置电路，可
消除VP变化的影响。的一个例子
如下图所示称为“电流镜”有源偏置电路。
这里，具有的最小变化两个PNP晶体管
IBE特征被使用。这些晶体管的Vgs调整由
自动Vds的变化。这将实现对恒定
电流特性，与温度无关。
该电路应直接连接符合的地方
所述电压电源将与被正常地连接
应用电路。当然匹配电路是必需的，
但它未在该图中示出。
[注意事项]
在射频性能（噘VS引脚等）的测量
使用该应用电路之前所描述的，有源偏置
此电路没有被利用。该应用电路是
直接从两路电源失之偏颇。
VDS
IDS
Q1
R1
R2
R3
R4
R5
+5.9V
100mA
UM T1N （罗门哈斯）
33Ω 1/10W
1.8kΩ 1 / 10W
1Ω RL系列（ SUSUM U）
1kΩ的1 / 10W
1.3kΩ 1 / 10W
如果您使用的IDS等超过100mA ，可以计算出
电阻值，如下所示：
R4设置为1K
Ω
I
2
： Q1B的IC
I
1
： Q1A的IC
V
be1
： Q1A五世的Vbe
be2
： Q1B的Vbe的
R1=(+6V-Vds+V
be2
-V
be1
)/I
1
=(+6V-Vds)/I
1
R2=(Vds-V
be2
)/I
1
R3=(+6V-Vds)/(Ids+I
2
)
R5=|-5V-Vgs|/I
2
●注意事项
热辐射
在在印刷电路板（PCB）的布局设计
该功率FET所连接的热辐射到
最小化的器件结温应采取
考虑在内，因为它显著影响MTTF和射频
性能。在任何环境下，结温
应在高于绝对最大额定值低
该设备的操作和建议的热
设计有足够的余量。
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
2003-11
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