Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 721 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
3500 V, 4000V
4500 V
repetitive peak reverse voltage
tvj = -40°C...125°C
tvj = +25°C...125°C
VRRM
Stoßspitzensperrspannung
3600 V, 4100V
4600 V
non-repetitive peak reverse voltage
VRSM
IFRMSM
IFAVM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
1700 A
tC = 85°C
tC = 52°C
tvj = 25°C
tvj = 125°C
tvj = 25°C
tvj = 125°C
720 A
1080 A
1)
Stoßstrom-Grenzwert
IFSM
16000 A
15000 A
1)
surge forward current
6
Grenzlastintegral
I²t
1,3x10 A²s
6
I²t-value
1,13x10 A²s
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit
critical repetitive rate of fall of on - state
tvj = 125°C, IFM = 2000 A, V = 3000 V
(-di/dt)
500 A/µs
R
com
C = 0,25 µF, R = 6W
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage
Durchlaßspannung / forward voltage
tc = -40°C ... +85°C
tvj = 125°C iFM = 2500 A
tvj = 125°C
VR(D)
VF
typ. 2000 V
3,5 V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
Sperrstrom / reverse current
V(TO)
rT
1,7 V
tvj = 125°C
0,69 mW
ca. 75 mA
140 mA 1)
600 A
tvj = 125°C, v = 0,67 V
iR
R
RRM
tvj = 125°C, v = VRRM
R
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
iFM = 1000 A, -dFi/dt = 250 A/µs
IRM
tvj = 125 °C; v = 1000 V;
R
C = 0,25 µF; R = 6W
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
iFM = 1000 A, -dFi/dt = 250 A/µs
Qrr
1700 µAs
tvj = 125 °C; v = 1000 V;
R
C = 0,25 µF; R = 6W
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Anoden / anode
RthJC
thermal resistance, junction to case
0,018 K/W
0,033 K/W
0,04 K/W
Kathode / cathode
Übergangs-Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCK
thermal resistance, case to heatsink
0,005 K/W
0,01 K/W
Höchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat.
Betriebstemperatur / operating temperature
Lagertemperatur / storage temperature
tvjmax
tc op
tstg
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix
Anpreßkraft /clamping force
Seite / page 1
15...36 kN
ca. 600 g
ca. 20 mm
30 mm
F
Gewicht / weight
G
Luftstrecke / air distance
Kriechstrecke / creepage distance
Feuchteklasse / humidity classification
Schwingfestigkeit / vibration resistance
DIN 40040
f = 50 Hz
C
50 m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)
EUPEC [ EUPEC GMBH ]
