EIC7179-8
已更新2007年8月21日
7.10-7.90GHz
8瓦内部匹配功率FET
性能数据
典型的S参数（T = 25℃ ， 50Ω系统，解嵌入到封装的边缘）
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
2200mA
S11和S22
6
0.
SWP最大
8.5GHz
2.
0
1.0
0.8
20
S21和S12
-1.0
-0.8
-0
.6
S[1,1] *
-3
.0
EIC7179-8
-4
.
-5.
0.2
0
-10.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
.4
-0
0.
4
.0
-0
.
-2
6
SWP敏
6.5GHz
-0.8
-1.0
频率
（千兆赫）
--- S11 ---
MAG
昂
6.25
6.50
6.75
7.00
7.25
7.50
7.75
8.00
8.25
8.50
8.75
0.880
0.803
0.693
0.517
0.330
0.165
0.160
0.285
0.398
0.492
0.570
-49.670
-70.860
-96.200
-126.330
-162.030
137.750
26.960
-38.600
-86.640
-128.940
-165.600
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
www.excelics.com
-5.
-4
0
.0
-3
.0
3.
0
4.
5.0
-0.
2
-10.0
0.2
-0.
2
S[2,2] *
EIC7179-8
0
5.0
S21和S12 （ dB）的
.4
-0
-2
.0
0.
4
3.
0
10
0
4.
0
10.0
DB （ | S [ 2,1 ] | ） *
EIC7179-8
DB（ | S [1,2] | ） *
EIC7179-8
-10
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10.0
0
10.0
-20
-30
6.5
7
7.5
频率（GHz ）
8
8.5
2.
0
0.
6
0.8
1.0
--- S21 ---
MAG
昂
--- S12 ---
MAG
昂
--- S22 ---
MAG
昂
2.147
2.561
2.913
3.150
3.324
3.420
3.298
3.055
2.676
2.241
1.765
58.460
25.780
-8.850
-44.530
-79.880
-117.150
-154.880
167.050
129.920
93.730
59.440
0.045
0.061
0.078
0.096
0.112
0.122
0.129
0.126
0.115
0.099
0.081
1.160
-30.980
-66.370
-100.870
-136.570
-173.260
150.260
113.450
77.180
43.170
10.010
0.220
0.255
0.409
0.533
0.576
0.545
0.470
0.399
0.413
0.505
0.606
-119.050
155.400
103.720
66.370
32.440
-2.360
-43.000
-92.540
-144.320
173.770
143.580
第2页4
修订后的2007年10月
EXCELICS [ EXCELICS SEMICONDUCTOR, INC. ]
