EIC7179-8
已更新2007年8月21日
7.10-7.90GHz
8瓦内部匹配功率FET
功率降容曲线和IM3定义
功耗与温度的关系
40
35
总功耗（ W）
30
25
20
15
10
（ 2F2 - 为f1 ）或（ 2F1 - f2）上
三阶
截取点IP3
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
潜在的不安全
工作区
IP
3
=噘+ IM3 / 2
F1或F2
噘
针
IM3
安全工作
地区
IM3
f1 f2
(2f1-f2) f1 f2 (2f2-f1)
5
0
0
25
50
75
100
125
外壳温度（ ° C）
150
175
销[ S.C.L. ] （ DBM）
典型的电力数据（V
DS
= 10 V，I
DSQ
= 2200毫安）
40
39
P- 1分贝（ DBM）
典型的IM3数据（V
DS
= 10 V,
I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
)
13
12
11
10
9
8
P- 1分贝& G- 1分贝与频率
IM3与输出功率
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
23
24
25
26
F1 = 7.90千兆赫， F2 = 7.91 GHz的
38
37
36
35
7.0
7.2
P- 1分贝（ DBM）
G- 1分贝（分贝）
IM3 （ DBC）
G- 1分贝（分贝）
IM3 （ DBC）
27
28
29
30
31
32
33
34
35
7.4
7.6
7.8
8.0
频率（GHz ）
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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修订后的2007年10月
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