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ES29DS320ET-90RTGI 参数 Datasheet PDF下载

ES29DS320ET-90RTGI图片预览
型号: ES29DS320ET-90RTGI
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内容描述: 为4Mbit ( 512Kx 8 / 256K ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 [4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 51 页 / 679 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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(E S)我
I
ES
Excel的半导体公司。
表1. ES29LV400设备总线操作
DQ0
~
DQ7
DQ8~DQ15
BYTE #
= V
IH
D
OUT
(注3)
高-Z
高-Z
输出禁用
RESET
L
X
部门保护
(注2 )
部门撤消
(注2 )
临时机构
撤消
L
H
X
H
H
X
L
H
L
V
ID
X
X
SA,A6=L,
A1=H,A0=L
SA,A6=H,
A1=H,A0=L
高-Z
高-Z
(注3)
高-Z
高-Z
X
X
手术
CE#
OE #
WE#
RESET#
地址
(注1 )
BYTE #
= V
IL
DQ8 - DQ14 =高阻,
DQ15 = A-1
待机
L
L
VCC +
0.3V
L
H
X
H
L
H
H
VCC +
0.3V
A
IN
A
IN
X
D
OUT
(注3)
高-Z
X
在系统
L
H
L
V
ID
(注3)
X
X
X
X
X
V
ID
A
IN
SA,A9=V
ID
,
A6=L,
A1=H,A0=L
(注3)
(注3)
高-Z
部门保护
A9高压线
年龄的方法
部门撤消
L
V
ID
L
H
(注3)
L
V
ID
L
H
SA,A9=V
ID
,
A6=H,
A1=H,A0=L
(注3)
高-Z
图例:
L =逻辑低电平= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 11.5-12.5V , X =无所谓, SA =扇区地址,
IN
=地址,D
IN
=数据,
D
OUT
= OUT数据
注意事项:
1.地址是A17 : A0字模式( BYTE # = V
IH
) , A17 : A- 1字节模式( BYTE # = V
IL
).
2.扇区保护和扇区解除保护功能也可以通过编程设备来实现。请参阅“部门亲
tection和unprotection的“一节。
3. D
IN
或D
OUT
所要求的指令序列,数据查询,或部门保护算法。
表2.自动选择代码( A9高压法)
A17
to
A12
X
X
描述
CE # OE # WE#
A11
to
A10
X
X
A9
A8
to
A7
X
X
A6
A5
to
A2
X
X
DQ8~DQ15
A1
A0
BYTE # BYTE #
= V
IH
= V
IL
X
22h
X
X
DQ7~DQ0
ManufactureID : ESI
设备ID :
ES29LV400
扇区保护
验证
L
L
L
L
H
H
V
ID
V
ID
V
ID
L
L
L
L
L
H
4Ah
B9h(T),BAh(B)
01h(protected)
00h(unprotected)
L
L
H
SA
X
X
L
X
H
L
X
X
图例:
T =热门引导块,B =底部引导块, L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, SA =扇区地址,X =无关
ES29LV400E
10
2006年Rev.0B 1月5日,